Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007143393 - PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FOURNIR UNE STRUCTURE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE UTILISANT LE TRANSFERT DE SPIN

Numéro de publication WO/2007/143393
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/069558
Date du dépôt international 23.05.2007
CIB
G11C 11/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
CPC
G11C 11/1657
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1657Word-line or row circuits
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 8/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
12Group selection circuits, e.g. for memory block selections, chip selection, array selection
G11C 8/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
14Word line organisation; Word line lay-out
Déposants
  • GRANDIS, INC. [US/US]; 1123 Cadillac Court Milpitas, CA 95035, US
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; Marunouchi Bldg., 4-1, Marunouchi, 2- Chome Chiyoda-ku, Tokyo, 100-6334, JP
  • LUO, Xiao [CA/US]; US (UsOnly)
  • CHEN, Eugene, Youjun [US/US]; US (UsOnly)
  • WANG, Lien-Chang; US (UsOnly)
  • HUAI, Yiming [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • LUO, Xiao; US
  • CHEN, Eugene, Youjun; US
  • WANG, Lien-Chang; US
  • HUAI, Yiming; US
Mandataires
  • MITCHELL, Janyce, R.; Strategic Patent Group, P.C. P.O. Box 1329 Mountain View, CA 94042, US
Données relatives à la priorité
11/446,39101.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A MAGNETIC MEMORY STRUCTURE UTILIZING SPIN TRANSFER
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FOURNIR UNE STRUCTURE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE UTILISANT LE TRANSFERT DE SPIN
Abrégé
(EN)
A method and system for providing a magnetic memory is described. The method and system include providing magnetic memory cells, local and global word lines, bit lines, and source lines. Each magnetic memory cell includes a magnetic element and a selection device connected with the magnetic element. The magnetic element is programmed by first and second write currents driven through the magnetic element in first and second directions. The local word lines are connected with the selection device of and have a first resistivity. Each global word line corresponds to a portion of the local word lines and has a resistivity lower than the first resistivity. The bit lines are connected with the magnetic element. The source lines are connected with the selection device. Each source line corresponds to a more than one of the magnetic memory cells and carries the first and second write currents.
(FR)
Le procédé et le système décrits permettent de fournir une mémoire magnétique. Le procédé et système incluent la présence de cellules de mémoire magnétique, de lignes de mots locales et globales, de lignes de bits et de lignes de sources. Chaque cellule de mémoire magnétique comprend un élément magnétique et un dispositif de sélection connecté avec l'élément magnétique. L'élément magnétique est programmé par des premier et second courants d'écriture entraînés à travers l'élément magnétique dans des première et seconde directions. Les lignes de mots locales sont connectées au dispositif de sélection et ont une première résistivité. Chaque ligne de mots globale correspond à une partie des lignes de mots locales et a une résistivité inférieure à la première résistivité. Les lignes de bits sont connectées à l'élément magnétique. Les lignes de sources sont connectées au dispositif de sélection. Chaque ligne de source correspond à plusieurs cellules de mémoire magnétique et achemine les premier et second courants d'écriture.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international