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1. (WO2007143387) MASQUE DUR CONDUCTEUR POUR PROTÉGER DES ÉLÉMENTS À MOTIFS PENDANT LA GRAVURE DE TRANCHÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/143387    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/069450
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 22.05.2007
CIB :
H01L 27/102 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
RADIGAN, Steven, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
RAGHURAM, Usha [US/US]; (US) (US Seulement).
DUNTON, Samuel, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
KONEVECKI, Michael, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RADIGAN, Steven, J.; (US).
RAGHURAM, Usha; (US).
DUNTON, Samuel, V.; (US).
KONEVECKI, Michael, W.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC, Suite 309, 245 Saw Mill River Road, Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
11/444,936 31.05.2006 US
Titre (EN) CONDUCTIVE HARD MASK TO PROTECT PATTERNED FEATURES DURING TRENCH ETCH
(FR) MASQUE DUR CONDUCTEUR POUR PROTÉGER DES ÉLÉMENTS À MOTIFS PENDANT LA GRAVURE DE TRANCHÉES
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for forming patterned features using a conductive hard mask, where the conductive hard mask protects those features during a subsequent trench etch to form Damascene conductors providing electrical connection to those features from above. The thickness of the hard mask provides a margin to avoid overetch during the trench etch which may be harmful to device performance. The method is advantageously used in formation of a monolithic three dimensional memory array.
(FR)La présente invention concerne un procédé servant à réaliser des éléments à motifs utilisant un masque dur conducteur, le masque dur conducteur protégeant lesdits éléments pendant une gravure de tranchées ultérieure pour réaliser des conducteurs damasquinés servant à connecter électriquement les éléments susnommés. L'épaisseur du masque dur offre une marge pour éviter la surgravure pendant la gravure des tranchées qui peut être nuisible aux performances du dispositif. Le procédé peut être utilisé avantageusement dans la réalisation d'une matrice de mémoire tridimensionnelle monolithique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)