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1. (WO2007143289) CONTRAINTE MÉCANIQUE D'ÉPAIS SUBSTRATS SOI CONTRAINTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/143289    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/067285
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 24.04.2007
CIB :
H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
THEAN, Voon-yew [SG/US]; (US) (US Seulement).
VARTANIAN, Victor H. [US/US]; (US) (US Seulement).
WINSTEAD, Brian A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THEAN, Voon-yew; (US).
VARTANIAN, Victor H.; (US).
WINSTEAD, Brian A.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/420,849 30.05.2006 US
Titre (EN) ENGINEERING STRAIN IN THICK STRAINED-SOI SUBSTRATES
(FR) CONTRAINTE MÉCANIQUE D'ÉPAIS SUBSTRATS SOI CONTRAINTS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor fabrication process preferably used with a semiconductor on insulator (SOI) wafer (101). The wafer's active layer (106) is biaxially strained and has first (110-1) and second regions (110-2). The second region (110-2) is amorphized to alter its strain component(s). The wafer is annealed to re-crystallize the amorphous semiconductor. First and second types of transistors (150-1, 150-2) are fabricated in the first region and the second region respectively. Third (110-3) and possibly fourth regions (110-4) of the active layer may be processed to alter their strain characteristics. A sacrificial strain structure (130) may be formed overlying the third region. The strain structure may be a compressive. When annealing the wafer with the strain structure in place, its strain characteristics may be mirrored in the third active layer region (110-3). The fourth active layer region (110-4) may be amorphized in stripes that run parallel to a width direction of the transistor strain to produce uniaxial stress in the width direction.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteurs utilisé de préférence avec une galette (101) de semi-conducteur sur isolant (SOI). La couche active (106) de la galette est contrainte biaxialement et présente une première région (110-1) et une deuxième région (110-2). La deuxième région (110-2) est rendue amorphe de manière à modifier sa ou ses composantes de contrainte. La galette est recuite de manière à recristalliser le semi-conducteur amorphe. On fabrique un premier et un deuxième types de transistors (150-1,150-2) respectivement dans la première région et dans la deuxième région. Une troisième région (110-3) et éventuellement une quatrième région (110-4) de la couche active peuvent être traitées de manière à modifier leurs caractéristiques de contrainte. Une structure de contrainte sacrifiée (130) peut être formée au-dessus de la troisième région. La structure de contrainte peut être en compression. Lorsque l'on recuit la galette avec la structure de contrainte placée en position, ses caractéristiques de contrainte peuvent être reflétées dans la troisième région (110-3) de la couche active. La quatrième région (110-4) de la couche active peut être rendue amorphe en rubans qui s'étendent parallèlement au sens de la largeur de la contrainte du transistor de manière à produire une contrainte uniaxiale dans le sens de la largeur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)