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Paramétrages

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1. WO2007143153 - CONDENSATEURS MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL AMÉLIORÉS

Numéro de publication WO/2007/143153
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013044
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
CPC
H01L 23/5223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5223Capacitor integral with wiring layers
H01L 23/5225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5225Shielding layers formed together with wiring layers
H01L 28/87
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
86having horizontal extensions
87made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
H01L 28/91
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
90having vertical extensions
91made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • KENET, INC. [US/US]; 300 Unicorn Park Woburn, MA 01801, US (AllExceptUS)
  • ANTHONY, Michael, P. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • ANTHONY, Michael, P.; US
Mandataires
  • THIBODEAU, JR., David, J. ; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, P.c. 530 Virginia Road P.o. Box 9133 Concord, MA 01742-9133, US
Données relatives à la priorité
60/810,25702.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVED METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS
(FR) CONDENSATEURS MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL AMÉLIORÉS
Abrégé
(EN)
An interdigitated Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitor provides self- shielding and accurate capacitance ratios with small capacitance values. The MIM capacitor includes two terminals that extend to a plurality of interdigitated fingers separated by an insulator. Metal plates occupy layers above and below the fingers and connect to fingers of one terminal. As a result, the MIM capacitor provides self- shielding to one terminal. Additional shielding may be employed by a series of additional shielding layers that are isolated from the capacitor. The self-shielding and additional shielding may also be implemented at an array of MIM capacitors.
(FR)
La présente invention concerne un condensateur métal-isolant-métal (MIM) interdigité à auto-protection et des rapports de capacité précis présentant des valeurs de faible capacité. Le condensateur MIM comprend deux bornes qui s'étendent en une pluralité de doigts interdigités séparés par un isolateur. Des plaques métalliques occupent les couches au-dessus et au-dessous des doigts et les connectent à une borne. Le condensateur MIM fournit ainsi une auto-protection à l'une des bornes. Des protections supplémentaires peuvent être employées par une série de couches de protection supplémentaires isolées du condensateur. L'auto-protection et les protections supplémentaires peuvent être également mises en œuvre sur un ensemble de condensateurs MIM.
Également publié en tant que
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