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1. (WO2007143130) STRUCTURE MOSFET HAUTES PERFORMANCES À GRILLE FENDUE PLANE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2007/143130    International Application No.:    PCT/US2007/013005
Publication Date: Fri Dec 14 00:59:59 CET 2007 International Filing Date: Thu May 31 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 29/76
Applicants: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.
Inventors: BHALLA, Anup
HÉBERT, François
NG, Daniel, S.
Title: STRUCTURE MOSFET HAUTES PERFORMANCES À GRILLE FENDUE PLANE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention divulgue un dispositif d'alimentation à semi-conducteur amélioré comprenant une pluralité de cellules transistor de puissance, chaque cellule comportant en outre une grille plane rembourrée par une couche d'oxyde de grille disposée au sommet d'une couche de dérive constituant une couche supérieure d'un substrat semi-conducteur, la grille plane constituant de plus une grille fendue comprenant un entrefer ouvert dans une couche de grille au moyen duquel la superficie totale de la grille est réduite. La cellule transistor comporte en outre une région de diffusion JFET (transistor à effet de champ de jonction) disposée dans la couche de dérive sous l'entrefer de la couche de grille, la région de diffusion JFET présentant une concentration de dopant plus élevée que la région de dérive permettant de réduire une résistance de canal du dispositif d'alimentation à semi-conducteur. La cellule transistor comporte en outre une région dopée de surface peu profonde disposée près d'une surface supérieure de la couche de dérive sous la grille adjacente à la région de diffusion JFET, la région dopée de surface peu profonde présentant concentration de dopant inférieure à la région de diffusion JFET et supérieure à la couche de dérive.