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Paramétrages

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1. WO2007143025 - Solides inorganiques poreux pour utilisation comme matÉriaux À faible constante diÉlectrique

Numéro de publication WO/2007/143025
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012831
Date du dépôt international 31.05.2007
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 32/15
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
C01B 32/156
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
152Fullerenes
156After-treatment
C08G 77/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
48in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
50by carbon linkages
Déposants
  • ROSKILDE SEMICONDUCTOR LLC [US/US]; 2215-B Renaissance Drive, Suite 5 Las Vegas, NV 89119, US (AllExceptUS)
  • AYERS, Michael, Raymond [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • AYERS, Michael, Raymond; US
Mandataires
  • MESSINGER, Michael, V. ; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C. 1100 New York Avenue, N.W. Washington, DC 20005-3934, US
Données relatives à la priorité
60/809,40131.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) POROUS INORGANIC SOLIDS FOR USE AS LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS
(FR) Solides inorganiques poreux pour utilisation comme matÉriaux À faible constante diÉlectrique
Abrégé
(EN)
This disclosure relates generally to polymeric networks of fullerene compounds, to methods of preparing precursors for such networks, and to their subsequent use as low dielectric constant materials in microelectronic devices.
(FR)
Cette invention concerne de façon générale des réseaux polymères de composés de fullerènes, des procédés de préparation de précurseurs de tels réseaux, et leur utilisation consécutive comme matériaux à faible constante diélectrique dans des dispositifs microélectroniques.
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