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1. (WO2007142969) STRUCTURES D'ISOLATION POUR CIRCUIT INTÉGRÉS ET LEURS PROCÉDÉS MODULAIRES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/142969    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/012738
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 30.05.2007
CIB :
H01L 21/76 (2006.01)
Déposants : ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 830 E. Arques Avenue, Sunnyvale, CA 94086 (US) (Tous Sauf US).
RYU, Hyungsik [KR/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Wai, Tien [SG/CN]; (CN) (US Seulement).
DISNEY, Donald, Ray [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLIAMS, Richard, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Jun-wei [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RYU, Hyungsik; (US).
CHAN, Wai, Tien; (CN).
DISNEY, Donald, Ray; (US).
WILLIAMS, Richard, K.; (US).
CHEN, Jun-wei; (US)
Mandataire : STEUBER, David, E.; Patentability Associates, P.O. Box 9551, San Jose, CA 95157 (US)
Données relatives à la priorité :
11/444,102 31.05.2006 US
Titre (EN) ISOLATION STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS AND MODULAR METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) STRUCTURES D'ISOLATION POUR CIRCUIT INTÉGRÉS ET LEURS PROCÉDÉS MODULAIRES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A variety of isolation structures for semiconductor substrates include a trench formed in the substrate that is filled with a dielectric material or filled with a conductive material and lined with a dielectric layer along the walls of the trench. The trench may be used in combination with doped sidewall isolation regions. Both the trench and the sidewall isolation regions may be annular and enclose an isolated pocket of the substrate. The isolation structures are formed by modular implant and etch processes that do not include significant thermal processing or diffusion of dopants so that the resulting structures are compact and may be tightly packed in the surface of the substrate.
(FR)Une variété de structure d'isolation selon l'invention pour substrats semi-conducteurs comprend une tranchée creusée dans le substrat qui est remplie d'un matériau diélectrique ou est remplie d'un matériau conducteur et recouverte d'une couche diélectrique le long des parois de la tranchée. La tranchée peut être utilisée en combinaison avec des zones d'isolation dopées des parois latérales. La tranchée et les zones d'isolation des parois latérales peuvent être annulaires et confiner une poche isolée du substrat. Les structures d'isolation sont réalisées par implant modulaire et des processus de gravure qui ne comprennent pas de traitement thermique significatif ou de diffusion de dopants si bien que les structures résultantes sont compactes et peuvent être emballées serrées dans la surface du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)