Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142912 - IMPLANTATION NON-UNIFORME D'IONS

Numéro de publication WO/2007/142912
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012604
Date du dépôt international 24.05.2007
CIB
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
H01J 37/302 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
302Commande des tubes par une information d'origine externe, p.ex. commande par programme
CPC
H01J 2237/30461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
304Controlling tubes
30455Correction during exposure
30461pre-calculated
H01J 2237/30472
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
304Controlling tubes
30472Controlling the beam
H01J 2237/30488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
304Controlling tubes
30472Controlling the beam
30483Scanning
30488Raster scan
H01J 2237/31703
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
31703Dosimetry
H01J 2237/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
31706characterised by the area treated
3171patterned
H01J 37/3026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
3023Programme control
3026Patterning strategy
Déposants
  • VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
  • WALTHER, Steven, R. [US/US]; US (UsOnly)
  • MEHTA, Sandeep [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • WALTHER, Steven, R.; US
  • MEHTA, Sandeep; US
Mandataires
  • HWANG, David, H. ; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Données relatives à la priorité
11/441,63326.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NON-UNIFORM ION IMPLANTATION
(FR) IMPLANTATION NON-UNIFORME D'IONS
Abrégé
(EN)
A method includes receiving an input signal representative of a desired two-dimensional non-uniform dose pattern for a front surface of a workpiece, driving the workpiece relative to an ion beam to distribute the ion beam across the front surface of the workpiece, and controlling at least one parameter of an ion impianter when the ion beam is incident on the front surface of the workpiece to directly create the desired two-dimensional non-uniform dose pattern in one pass of the front surface of workpiece relative to the ion beam. The beam may be a scanned beam or a ribbon beam. An ion impianter is also provided.
(FR)
L'invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à recevoir un signal d'entrée représentatif d'un motif de dosage bidimensionnel non uniforme souhaité pour une surface avant d'une pièce de travail, à entraîner la pièce de travail par rapport à un faisceau d'ions afin de répartir le faisceau d'ions sur l'étendue de la surface avant de la pièce de travail et à réguler au moins un paramètre d'un implanteur d'ions lorsque le faisceau d'ions est incident sur la surface avant de la pièce de travail afin de créer directement le motif de dosage bidimensionnel non uniforme souhaité en une passe de la surface avant de la pièce de travail par rapport au faisceau d'ions. Le faisceau peut être un faisceau de balayage ou un faisceau en ruban. L'invention concerne également un implanteur d'ions.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international