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1. (WO2007142399) PROCÉDÉ DE PRÉVENTION DE LA GÉNÉRATION D'ARC PENDANT UN RECUIT RAPIDE PAR CHAUFFAGE OHMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/142399    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/000190
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 10.01.2007
CIB :
H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : RO, Jae-Sang [KR/KR]; (KR).
ENSILTECH CORPORATION [KR/KR]; 914-915, ITcastle 1-dong, 550-1, Gasan-dong, Geumcheon-gu, Seoul 153-768 (KR) (Tous Sauf US).
HONG, Won-Eui [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RO, Jae-Sang; (KR).
HONG, Won-Eui; (KR)
Mandataire : PARK, Sang-Soo; Suite 1810, Hwanghwa Bldg., 832-7, Yoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0052009 09.06.2006 KR
Titre (EN) METHOD OF PREVENTING GENERATION OF ARC DURING RAPID ANNEALING BY JOULE HEATING
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉVENTION DE LA GÉNÉRATION D'ARC PENDANT UN RECUIT RAPIDE PAR CHAUFFAGE OHMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a rapid annealing method in a mixed structure composed of a heat treatment-requiring material, dielectric layer and conductive layer, comprising that during rapid annealing on a predetermined part of the heat treatment-requiring material, by instantaneously generated intense heat due to Joule heating by application of an electric field to the conductive layer, the potential difference between the heat treatment-requiring material and the conductive layer is set lower than the dielectric breakdown voltage of the dielectric layer, thereby preventing generation of arc by dielectric breakdown of the dielectric layer during the annealing.
(FR)La présente invention concerne un procédé de recuit rapide dans une structure mixte comprenant un matériau nécessitant un traitement thermique, une couche diélectrique et une couche conductrice. Pendant le recuit rapide d'une partie prédéterminée du matériau nécessitant un traitement thermique, réalisé par la génération instantanée d'une chaleur intense au moyen d'un chauffage ohmique lui-même obtenu par l'application d'un champ électrique à la couche conductrice, la différence de potentiel entre le matériau nécessitant un traitement thermique et la couche conductrice est inférieure à la tension de claquage diélectrique de la couche diélectrique, ce qui évite la génération d'un arc par claquage diélectrique de la couche diélectrique pendant le recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)