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1. WO2007142352 - PROCÉDÉ ET MATÉRIAU DESTINÉS À LA FORMATION D'UN FILM DE PLACAGE

Numéro de publication WO/2007/142352
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061726
Date du dépôt international 11.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.04.2008
CIB
C25D 5/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
CPC
C25D 3/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
30of tin
C25D 5/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
006Electroplating with applied electromagnetic field, not locally, e.g. for plating magnetic layers
Déposants
  • 国立大学法人 熊本大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KUMAMOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 〒8608555 熊本県熊本市黒髪2丁目39番1号 Kumamoto 2-39-1, Kurokami, Kumamoto-shi, Kumamoto 8608555, JP (AllExceptUS)
  • 大野 恭秀 OHNO, Yasuhide [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小塚 敏之 KOZUKA, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 森園 靖浩 MORIZONO, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 堤 慶亮 TSUTSUMI, Keisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 大野 恭秀 OHNO, Yasuhide; JP
  • 小塚 敏之 KOZUKA, Toshiyuki; JP
  • 森園 靖浩 MORIZONO, Yasuhiro; JP
  • 堤 慶亮 TSUTSUMI, Keisuke; JP
Mandataires
  • 藤島 洋一郎 FUJISHIMA, Youichiro; 〒1600022 東京都新宿区新宿1丁目9番5号大台ビル2F Tokyo 2F, Oodai Building 9-5, Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité
2006-16160609.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND MATERIAL FOR PLATING FILM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ ET MATÉRIAU DESTINÉS À LA FORMATION D'UN FILM DE PLACAGE
(JA) めっき膜の形成方法および材料
Abrégé
(EN)
This invention provides a method for plating film formation, which can prevent the formation of whiskers in a pure Sn plating film. After specular finishing of the surface of a cathode electrode (13), the surface is pretreated. The angle (ϑ) of the cathode electrode (13) to a strong magnetic field (B) is then set to be in the range of 5° to 53°, or 75° to 90°. Next, while applying the strong magnetic field (B) to the cathode electrode (13), current is allowed to flow across an anode electrode (12) and the cathode electrode (13). According to the above constitution, when the angle (ϑ) is not less than 5° and not more than 53°, or not less than 85° and not more than 90° in the above-mentioned range, a pure Sn plating film having a crystal orientation pattern dissimilar to the crystal orientation pattern of a pure Sn plating film formed on the cathode electrode (13) in such a state that any strong magnetic field (B) is not applied to the cathode electrode (13) is formed. This plating film has at least (101) face as the crystal orientation of Sn.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation de film de placage qui empêche la formation de barbes dans un film de placage de Sn pur. La surface d'une électrode de cathode (13) est prétraitée à la suite d'une finition spéculaire. L'angle (ϑ) de l'électrode de cathode (13) par rapport à un fort champ magnétique (B) est ensuite fixé afin de se trouver dans une plage comprise entre 5° et 53° ou entre 75° et 90°. Puis, le courant peut traverser une électrode d'anode (12) et l'électrode de cathode (13), lors de l'application d'un fort champ magnétique (B) sur l'électrode de cathode (13). Selon la constitution susmentionnée, lorsque l'angle (ϑ) ne descend pas en dessous de 5° et ne dépasse pas 53°, ou ne descend pas en dessous de 85° et ne dépasse pas 90° conformément à la plage indiquée ci-dessus, on forme un film de placage de Sn pur possédant un modèle d'orientation cristalline différent du modèle d'orientation cristalline du film de placage de Sn pur formé sur l'électrode de cathode (13) dans un état tel qu'aucun champ magnétique fort (B) n'est appliqué sur l'électrode de cathode (13). Le présent film de placage possède au moins (101) une face correspondant à l'orientation cristalline du Sn.
(JA)
 純Snめっき膜にウィスカーが発生するのを防止することの可能なめっき膜の形成方法を提供する。カソード電極13の表面を鏡面に仕上げたのち、その表面に前処理を行ったのち、カソード電極13の強磁場Bに対する角度θを5°以上53°以下、または75°以上90°以下に設定する。次に、カソード電極13に対して強磁場Bを印加しつつ、アノード電極12とカソード電極13との間に電流を流す。これにより、上記した角度θの範囲のうち5°以上53°以下、または85°以上90°以下の場合には、カソード電極13に対して強磁場Bを印加していないときにカソード電極13に形成される純Snめっき膜の結晶配向パターンと非類似の結晶配向パターンの純Snめっき膜が形成される。このめっき膜は、Snの結晶方位として少なくとも(101)面を有する。
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