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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142228 - composé de cristaux liquides smectiques

Numéro de publication WO/2007/142228
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061353
Date du dépôt international 05.06.2007
CIB
C07D 333/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
07CHIMIE ORGANIQUE
DCOMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
333Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
02non condensés avec d'autres cycles
04non substitués sur l'atome de soufre du cycle
06avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone du cycle
08Atomes d'hydrogène ou radicaux contenant uniquement des atomes d'hydrogène et de carbone
10Thiophène
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 51/05 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
CPC
C09K 19/3491
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
19Liquid crystal materials
04characterised by the chemical structure of the liquid crystal components ; , e.g. by a specific unit
06Non-steroidal liquid crystal compounds
34containing at least one heterocyclic ring
3491having sulfur as hetero atom
H01L 51/0068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0062aromatic compounds comprising a hetero atom, e.g.: N,P,S
0068comprising only sulfur as heteroatom
H01L 51/0076
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0076Liquid crystalline materials
H01L 51/5048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5048Carrier transporting layer
Déposants
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 〒1008921 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 Tokyo 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921, JP (AllExceptUS)
  • 舟橋 正浩 FUNAHASHI, Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 張 発培 CHAN, Fuxapei [CN/JP]; JP (UsOnly)
  • 玉置 信之 TAMAOKI, Nobuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 舟橋 正浩 FUNAHASHI, Masahiro; JP
  • 張 発培 CHAN, Fuxapei; JP
  • 玉置 信之 TAMAOKI, Nobuyuki; JP
Données relatives à la priorité
2006-16028508.06.2006JP
2006-30694213.11.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SMECTIC LIQUID CRYSTAL COMPOUND
(FR) composé de cristaux liquides smectiques
(JA) スメクティック液晶化合物
Abrégé
(EN)
Disclosed is a liquid crystal semiconductor which exhibits a smectic phase of higher order around room temperature and enables to form a smectic liquid crystal thin film, which is stable at room temperature, by a solution process. In addition, the liquid crystal semiconductor exhibits excellent bipolar charge-transporting properties. Also disclosed is a thin film transistor or the like using such a liquid crystal semiconductor. Specifically disclosed is a smectic liquid crystal compound represented by the following general formula (1). (In the formula, R1 represents a linear alkyl group having 1-8 carbon atoms; R2 represents an alkyl group having 1-8 carbon atoms or an alkoxy group; and n represents an integer of 0-3.) Also specifically disclosed are a bipolar charge-transporting material using the smectic liquid crystal compound, an organic semiconductor thin film comprising a thin film layer containing the smectic liquid crystal compound, and a thin film transistor using such an organic semiconductor thin film.
(FR)
L'invention concerne un semi-conducteur à cristaux liquides qui présente une phase smectique de rang supérieur autour de la température ambiante et qui permet de constituer un film mince à cristaux liquides smectiques, qui est stable à la température ambiante, par un processus de solution. En outre, le semi-conducteur à cristaux liquides présente d'excellentes propriétés de transport de charge bipolaire. L'invention concerne également un transistor à film mince ou similaire utilisant un tel semi-conducteur à cristaux liquides. L'invention concerne en particulier un composé à cristaux liquides smectiques représenté par la formule générale suivante (1). (Dans la formule, R1 représente un groupe alkyle linéaire présentant 1-8 atomes de carbone; R2 représente un groupe alkyle présentant 1-8 atomes de carbone ou un groupe alkoxy; et n représente un entier de 0-3.) L'invention concerne également spécifiquement un matériau de transport de charge bipolaire utilisant le composé à cristaux liquides smectiques, un film mince semi-conducteur organique comprenant une couche de film mince contenant le composé à cristaux liquides smectiques, et un transistor à film mince utilisant un tel film mince semi-conducteur organique.
(JA)
not available
Également publié en tant que
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