Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142163 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2007/142163
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061233
Date du dépôt international 28.05.2007
CIB
H05B 33/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
10Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H05B 33/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H05B 33/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
22caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
CPC
H01L 27/3246
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
3246Pixel defining structures, e.g. banks
H01L 27/3283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3281Passive matrix displays
3283including banks or shadow masks
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
Déposants
  • SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
  • FUJII, Teruyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • FUJII, Teruyuki; JP
Données relatives à la priorité
2006-16090709.06.2006JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
An object is to provide a semiconductor device with excellent reproducibility which is manufactured at low cost. A manufacturing method of a semiconductor device includes steps of forming a first electrode over a substrate; forming an insulating layer over the substrate and the first electrode; pressing a mold against the insulating layer to form an opening in the insulating layer; separating the mold from the insulating layer in which the opening is formed; hardening the insulating layer in which the opening is formed to form a partition wall; forming a light-emitting layer over the first electrode and the partition wall; and forming a second electrode over the light-emitting layer. The insulating layer contains a thermosetting resin material or a light curable resin material. The partition wall has a cross-sectional taper angle of 20 to 50º , and edges of a top and bottom thereof are rounded.
(FR)
La présente invention concerne la production d'un dispositif à semi-conducteurs présentant une excellente reproductibilité et un faible coût de production. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprend les étapes consistant à : former une première électrode sur un substrat ; former une couche isolante sur le substrat et la première électrode ; presser un moule contre la couche isolante afin de former une ouverture dans la couche isolante ; séparer le moule de la couche isolante dans laquelle l'ouverture est obtenue ; durcir la couche isolante dans laquelle l'ouverture est obtenue afin de former une paroi de séparation ; former une couche électroluminescente sur la première électrode et la paroi de séparation ; et former une seconde électrode sur la couche électroluminescente. La couche isolante contient un matériau en résine thermodurcissable ou un matériau en résine photodurcissable. La paroi de séparation possède un angle conique transversal compris entre 20 et 50 ° et les bords de sa partie supérieure et inférieure sont arrondis.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international