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Paramétrages

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1. WO2007142024 - PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE COP DE TRANCHE DE SILICIUM À CRISTAL UNIQUE

Numéro de publication WO/2007/142024
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060425
Date du dépôt international 22.05.2007
CIB
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
H01L 22/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Déposants
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 〒1058634 東京都港区芝浦一丁目2番1号 Tokyo 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
  • 稲見 修一 INAMI, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 稲見 修一 INAMI, Shuichi; JP
Mandataires
  • 森 道雄 MORI, Michio; 〒6600892 兵庫県尼崎市東難波町五丁目17番23号 尼崎ビル 森道雄特許事務所 Hyogo M. MORI PATENT OFFICE Amagasaki Building 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome Amagasaki-shi, Hyogo 6600892, JP
Données relatives à la priorité
2006-16109409.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER COP EVALUATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE COP DE TRANCHE DE SILICIUM À CRISTAL UNIQUE
(JA) 単結晶シリコンウェーハのCOP評価方法
Abrégé
(EN)
An evaluation region of a wafer to be evaluated is divided into concentric circular areas in the radial direction. The upper limit value of the COP quantity is set for each of the divided evaluation areas and the single-crystal silicon wafer is checked according to the upper limit value as a reference. This enables a quantitative and objective COP evaluation and an appropriate judgment based on the clear reference. By applying this evaluation method, it is possible to automate the COP evaluation (inspection) and cope with an improved wafer quality in the future. This method can be widely used in manufacturing of a single-crystal silicon wafer and a semiconductor device.
(FR)
La présente invention concerne une région d'évaluation d'une tranche devant être évaluée, qui est divisée en zones circulaires concentriques dans la direction radiale. La valeur de la limite supérieure de la quantité de COP est définie pour chaque zone d'évaluation divisée et la tranche de silicium à cristal unique est vérifiée en fonction de la valeur limite supérieure servant de référence. Ceci permet une évaluation COP quantitative et objective et un jugement approprié basé sur la référence claire. En appliquant ce procédé d'évaluation, il est possible d'automatiser l'évaluation du COP (l'inspection) et d'améliorer la qualité de la tranche à l'avenir. Ce procédé peut être largement utilisé dans la fabrication d'une tranche de silicium à cristal unique et dans un dispositif à semi-conducteurs.
(JA)
 評価対象のウェーハの評価領域を半径方向に同心円状に分割し、分割した評価領域ごとにCOP個数の上限値を設定し、この上限値を基準として単結晶シリコンウェーハの合否判定を行うことにより、定量性、かつ客観性のあるCOP評価が可能であり、明確な基準のもとで適正な判定を与えることができる。この評価方法を適用することにより、COP評価(検査)の自動化、将来におけるウェーハの高品質化にも十分対応可能であり、単結晶シリコンウェーハの製造、半導体デバイス製造に広く利用することができる。
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