Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007142015 - Circuit de protection contre les surtension, méthode de protection d'un circuit contre les surtensions, et appareillage à semiconducteurs comportant le circuit de protection contre les surtensions

Numéro de publication WO/2007/142015
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060322
Date du dépôt international 15.05.2007
CIB
H02H 3/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
HCIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
3Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion
20sensibles à un excès de tension
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
CPC
H01L 27/0285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0266using field effect transistors as protective elements
0285bias arrangements for gate electrode of field effect transistors, e.g. RC networks, voltage partitioning circuits
H02H 3/20
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
3Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection
20responsive to excess voltage
Déposants
  • RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555, JP (AllExceptUS)
  • UEDA, Tadayoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • UEDA, Tadayoshi; JP
Mandataires
  • ITOH, Tadahiko; 32nd Floor Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032, JP
Données relatives à la priorité
2006-15745406.06.2006JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) EXCESS VOLTAGE PROTECTION CIRCUIT, METHOD OF PROTECTING A CIRCUIT FROM EXCESS VOLTAGE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING THE EXCESS VOLTAGE PROTECTION CIRUIT
(FR) Circuit de protection contre les surtension, méthode de protection d'un circuit contre les surtensions, et appareillage à semiconducteurs comportant le circuit de protection contre les surtensions
Abrégé
(EN)
In a disclosed excess voltage protection circuit, when the input voltage equal to or higher than a predetermined maximum voltage is detected by an excess voltage detection circuit, a switching element is shut off so as to prevent the input voltage being output from the excess voltage protection circuit. A voltage obtained by dividing the input voltage using resistors is output from the excess voltage protection circuit.
(FR)
L'invention concerne un circuit de protection contre les surtensions qui, lorsque la tension d'entrée supérieure ou égale à une tension maximum prédéterminée est détectée par un circuit de détection de surtension, déclenche un élément de commutation qui se ferme de façon à empêcher que la tension d'entrée ne soit propagée par le circuit de protection contre les surtensions. Le circuit de protection contre les surtensions fournit une tension obtenue en divisant la tension d'entrée au moyen de résistances.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international