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1. (WO2007142000) COMPOSITION PRÉCURSEUR POUR MEMBRANE POREUSE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE LA COMPOSITION PRÉCURSEUR, MEMBRANE POREUSE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MEMBRANE POREUSE ET DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/142000    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060027
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 16.05.2007
CIB :
C08J 9/36 (2006.01), C08G 77/18 (2006.01), C09D 5/25 (2006.01), C09D 7/12 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
FUJII, Nobutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHMURA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJII, Nobutoshi; (JP).
NAKAYAMA, Takahiro; (JP).
KOHMURA, Kazuo; (JP).
TANAKA, Hirofumi; (JP)
Mandataire : Exeo Patent & Trademark Company; 2nd Fl., Ebisu Lite Bldg. 1-19, Ebisuminami 3-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-154846 02.06.2006 JP
Titre (EN) PRECURSOR COMPOSITION FOR POROUS MEMBRANE, PROCESS FOR PREPARATION OF THE PRECURSOR COMPOSITION, POROUS MEMBRANE, PROCESS FOR PRODUCTION OF THE POROUS MEMBRANE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION PRÉCURSEUR POUR MEMBRANE POREUSE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE LA COMPOSITION PRÉCURSEUR, MEMBRANE POREUSE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MEMBRANE POREUSE ET DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a precursor composition comprising: a compound selected from a compound represented by the formula: Si(OR1)4 and a compound represented by the formula: Ra(Si)(OR2)4-a (in the formulae, R1 represents a univalent organic group; R represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a univalent organic group; R2 represents a univalent organic group; and a represents an integer ranging from 1 to 3, provided that R, R1 and R2 are the same as or different from one another); a thermally degradable organic compound; an element having a catalytic activity; urea; and the like. A porous membrane produced from the precursor composition is irradiated with ultraviolet ray, and then subjected to gas-phase reaction with a hydrophobic compound. A porous membrane thus prepared can be used for the manufacture of a semiconductor device.
(FR)La présente invention concerne une composition précurseur qui comprend : un composé choisi parmi un composé représenté par la formule : Si(OR1)4 et un composé représenté par la formule : Ra(Si)(OR2)4-a (dans les formules, R1 représente un groupe organique univalent ; R représente un atome d'hydrogène, un atome de fluor ou un groupe organique univalent ; R2 représente un groupe organique univalent ; et a représente un nombre entier de 1 à 3, à condition que R, R1 et R2 soient identiques ou différents les uns des autres) ; un composé organique thermiquement dégradable ; un élément ayant une activité catalytique ; l'urée ; et des produits similaires. Selon l'invention, une membrane poreuse produite à partir de la composition précurseur est irradiée par un rayonnement ultraviolet, puis soumise à une réaction en phase gazeuse avec un composé hydrophobe. Une membrane poreuse ainsi préparée peut être utilisée dans la fabrication d'un dispositif semiconducteur.
(JA)式:Si(OR)及びR(Si)(OR)4-a(式中、Rは1価の有機基を表し、Rは水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表し、Rは1価の有機基を表し、aは1~3の整数であり、R、R及びRは同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む前駆体組成物。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させ、得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。    
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)