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Paramétrages

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1. WO2007141270 - APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR EXPLOITER LES EFFETS DE CANAL COURT INVERSÉ DANS DES DISPOSITIFS DE TRANSISTOR

Numéro de publication WO/2007/141270
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055522
Date du dépôt international 05.06.2007
CIB
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC
H01L 21/823412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823412with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H03F 1/3205
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
3205in field-effect transistor amplifiers
H03F 2200/451
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
451the amplifier being a radio frequency amplifier
H03F 2200/456
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
456A scaled replica of a transistor being present in an amplifier
H03F 2200/492
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
492A coil being added in the source circuit of a transistor amplifier stage as degenerating element
Déposants
  • TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL) [SE/SE]; S-164 83 Stockholm, SE (AllExceptUS)
  • ARNBORG, Torkel [SE/SE]; SE (UsOnly)
Inventeurs
  • ARNBORG, Torkel; SE
Mandataires
  • ONSHAGE, Anders ; Ericsson AB Nya Vattentornet S-221 83 Lund, SE
Données relatives à la priorité
11/449,46008.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR EXPLOITING REVERSE SHORT CHANNEL EFFECTS IN TRANSISTOR DEVICES
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR EXPLOITER LES EFFETS DE CANAL COURT INVERSÉ DANS DES DISPOSITIFS DE TRANSISTOR
Abrégé
(EN)
A method of implementing a transistor circuit comprises coupling first and second transistors in parallel, wherein the first transistor has a channel length corresponding to a peak in the transistor's voltage threshold curve arising from reverse short channel effects, and the second transistor has a longer channel length and, therefore, a lower threshold voltage. Exploiting reverse short channel effects in this manner enables the implementation of 'composite' transistor circuits that exhibit improved linearity.
(FR)
La présente invention concerne un procédé pour implémenter un circuit de transistor comprenant le couplage du premier et du second transistor en parallèle ; le premier transistor possède une longueur de canal correspondant à un pic dans la courbe de seuil de tension du transistor naissant des effets du canal court inversé et le second transistor possède une longueur de canal supérieure et donc une tension seuil inférieure. Ce type d'exploitation des effets du canal court inverse permet d'implémenter des circuits de transistor 'composites' qui montrent une linéarité améliorée.
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