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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007141254 - Unité de commutation

Numéro de publication WO/2007/141254
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055497
Date du dépôt international 05.06.2007
CIB
H05B 33/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
08Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
CPC
H05B 45/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Circuit arrangements for operating light emitting diodes [LED]
10Controlling the intensity of the light
H05B 45/37
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Circuit arrangements for operating light emitting diodes [LED]
30Driver circuits
37Converter circuits
Y02B 20/341
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
20Energy efficient lighting technologies
30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
34Inorganic LEDs
341Specially adapted circuits
Déposants
  • OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG [DE/DE]; Hellabrunner Str. 1 81543 München, DE (AllExceptUS)
  • BIEBL, Alois [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HIRSCHMANN, Günther [AT/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • BIEBL, Alois; DE
  • HIRSCHMANN, Günther; DE
Mandataires
  • RAISER, Franz; c / o OSRAM GmbH Postfach 22 16 34 80506 München, DE
Données relatives à la priorité
102006026938.109.06.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) SCHALTUNGSEINHEIT
(EN) CIRCUIT UNIT
(FR) Unité de commutation
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Schaltungseinheit für eine Strahlung erzeugende Halbleiter-Einheit, wobei im Betrieb eine Durchlassspannung Uf an der Strahlung erzeugenden Halbleiter-Einheit anliegt und die Strahlung erzeugende Halbleiter-Einheit von einem Durchlassstrom If durchflossen wird, wobei die Schaltungseinheit den Durchlassstrom If derart regelt, dass ein Ist-Wert Vist, der von dem Durchlassstrom If und der Durchlassspannung Uf abhängt, einen vorgegebenen Soll-Wert Vsoll annimmt. Ferner betrifft die Erfindung eine Strahlungsquelle.
(EN)
The invention relates to a circuit unit for a semiconductor unit which produces radiation, with a forward voltage Uf being applied during operation to the semiconductor unit which produces radiation, and with a forward current If flowing through the semiconductor unit which produces radiation, with the circuit unit regulating the forward current If such that an actual value Vact which depends on the forward current If and the forward voltage Uf assumes a predetermined nominal value Vnom. The invention also relates to a radiation source.
(FR)
L'invention concerne une unité de commutation pour une unité à semiconducteur produisant un rayonnement, une tension Uf directe étant appliquée lors du fonctionnement à l'unité à semiconducteur produisant le rayonnement et l'unité à semiconducteur produisant le rayonnement étant traversée par un courant If direct, l'unité de commutation régulant le courant If direct de telle sorte qu'une valeur réelle Vist, laquelle dépend du courant If direct et de la tension Uf directe, prend une valeur de consigne Vsoll prédéfinie. L'invention concerne également une source de rayonnement.
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