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1. (WO2007141048) MATÉRIAU À COUCHE ISOLANTE POUR LA MICROÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/141048    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/005203
Date de publication : 13.12.2007 Date de dépôt international : 07.06.2007
CIB :
H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. [DE/DE]; Helmholtzstr. 20, 01069 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN [DE/DE]; 01062 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
HERMANN, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SEIFERT, Gotthart [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TÄSCHNER, Christine [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZSCHECH, Ehrenfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HERMANN, Helmut; (DE).
SEIFERT, Gotthart; (DE).
TÄSCHNER, Christine; (DE).
ZSCHECH, Ehrenfried; (DE)
Mandataire : RAUSCHENBACH, Marion; Bienertstrasse 15, 01187 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 027 880.1 09.06.2006 DE
Titre (DE) ISOLATIONSSCHICHTMATERIAL FÜR DIE MIKROELEKTRONIK
(EN) INSULATION LAYER MATERIAL FOR MICROELECTRONICS
(FR) MATÉRIAU À COUCHE ISOLANTE POUR LA MICROÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Mikroelektronik und der Materialwissenschaften und betrifft ein Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik, welches beispielsweise in integrierten Schaltkreisen als Dielektrikum zwischen Kupferleitbahnen zur Anwendung kommen kann. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik anzugeben, welches eine Dielektrizitätskonstante von k < 2 bei gleichzeitig guten mechanischen Eigenschaften aufweist. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik, welches aus einer Vielzahl an fluorierten Kohlenstoffnanoröhren besteht, die mittels eines Haftmittels mindestens punktuell über physikalische und/oder chemische Bindungen zu einem Netzwerk verbunden sind.
(EN)The invention deals with the fields of microelectronics and material technology and relates to an insulation layer material for microelectronics which can be used, for example, in integrated circuits as a dielectric between copper conductor tracks. The invention addresses the problem of providing an insulation layer material for microelectronics which has a dielectricity constant of k < 2 whilst also having good mechanical properties. The problem is solved with an insulation layer material for microelectronics which consists of a plurality of fluorinated carbon nanotubes which are connected to a network, at least at certain points, by means of physical and/or chemical connections, using a bonding agent.
(FR)L'invention concerne les domaines de la microélectronique et des sciences des matériaux et concerne un matériau à couche isolante pour la microélectronique, lequel peut être utilisé comme diélectrique par exemple dans des circuits de commutation intégrés. L'invention a pour but d'indiquer un matériau à couche isolante pour la microélectronique, lequel comporte une constante diélectrique de k < 2 avec en même temps de bonnes propriétés mécaniques. Le but est atteint par un matériau à couche isolante pour la microélectronique, lequel se compose d'une pluralité de nanotubes de carbone fluorés, lesquels sont reliés en un réseau au moyen d'un agent adhésif au moins ponctuellement par l'intermédiaire de liaisons physiques et/ou chimiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)