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1. (WO2007140424) DÉpÔt chimique en phase vapeur de dioxyde de silicium À Écoulement de haute qualitÉ À partir d'un prÉcurseur contenant du silicium et d'oxygÈne atomique
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/140424    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/069999
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 30.05.2007
CIB :
C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
INGLE, Nitin, K. [IN/US]; (US) (US Seulement).
YUAN, Zheng [CA/US]; (US) (US Seulement).
GEE, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
SAPRE, Kedar [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : INGLE, Nitin, K.; (US).
YUAN, Zheng; (US).
GEE, Paul; (US).
SAPRE, Kedar; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, Eighth Floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
60/803,483 30.05.2006 US
11/754,440 29.05.2007 US
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HIGH QUALITY FLOW-LIKE SILICON DIOXIDE USING A SILICON CONTAINING PRECURSOR AND ATOMIC OXYGEN
(FR) DÉpÔt chimique en phase vapeur de dioxyde de silicium À Écoulement de haute qualitÉ À partir d'un prÉcurseur contenant du silicium et d'oxygÈne atomique
Abrégé : front page image
(EN)Methods of depositing a silicon oxide layer on a substrate are described. The methods may include the steps of providing a substrate to a deposition chamber, generating an atomic oxygen precursor outside the deposition chamber, and introducing the atomic oxygen precursor into the chamber. The methods may also include introducing a silicon precursor to the deposition chamber, where the silicon precursor and the atomic oxygen precursor are first mixed in the chamber. The silicon precursor and the atomic oxygen precursor react to form the silicon oxide layer on the substrate, and the deposited silicon oxide layer may be annealed. Systems to deposit a silicon oxide layer on a substrate are also described.
(FR)L'invention concerne des procédés de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur un substrat. Les procédés peuvent comprendre les étapes consistant à introduire un substrat dans une chambre de dépôt générer un précurseur d'oxygène atomique à l'extérieur de la chambre de dépôt et introduire le précurseur d'oxygène atomique dans la chambre. Les procédés peuvent également comprendre l'introduction d'un précurseur de silicium dans la chambre de dépôt, le précurseur de silicium et le précurseur d'oxygène atomique étant d'abord mélangés dans la chambre. Le précurseur de silicium et le précurseur d'oxygène atomique réagissent pour former une couche d'oxyde de silicium sur le substrat, et la couche d'oxyde de silicium déposée peut être recuite. L'invention concerne également des systèmes permettant de déposer une couche d'oxyde de silicium sur un substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)