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1. (WO2007140193) AGENTS D'ATTAQUE CHIMIQUE SÉLECTIFS DU CARBURE DE TANTALE, PROCÉDÉS DE PRODUCTION ET UTILISATIONS DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/140193    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/069506
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 23.05.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.03.2008    
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; Law Department AB/2B, 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962 (US) (Tous Sauf US).
STARZYNSKI, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STARZYNSKI, John; (US)
Mandataire : CHESS, Deborah; Honeywell International Inc., Law Department AB/2B, 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962 (US).
THOMPSON, Sandra; Buchalter Nemer, 10800 Von Karman Ave., Ste. 800, Irvine, CA 92612-0514 (US)
Données relatives à la priorité :
60/808,269 25.05.2006 US
Titre (EN) SELECTIVE TANTALUM CARBIDE ETCHANT, METHODS OF PRODUCTION AND USES THEREOF
(FR) AGENTS D'ATTAQUE CHIMIQUE SÉLECTIFS DU CARBURE DE TANTALE, PROCÉDÉS DE PRODUCTION ET UTILISATIONS DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Etchants for selective removal of tantalum carbide are described herein that comprise at least one fluorine-based constituent; at least one chelating agent and at least one solvent or solvent mixture. Etchants are also described herein that comprise at least one fluorine-based constituent and at least one solvent, wherein the combination of the at least one fluorine-based etchant and the at least one solvent selectively etches tantalum carbide. In addition, methods are also described herein for producing a wet etching chemistry solution that include providing at least one fluorine-based constituent, optionally providing at least one chelating agent; providing at least one solvent or solvent mixture, and combining the fluorine-based constituent and the chelating agent into the at least one solvent or solvent mixture to form the wet etching chemistry solution.
(FR)L'invention concerne des agents d'attaque chimique pour l'élimination sélective de carbure de tantale, comprenant au moins un constituant à base de fluor ; au moins un agent chélateur et au moins un solvant ou un mélange de solvants. L'invention concerne également des agents d'attaque chimique qui comprennent au moins un constituant à base de fluor et au moins un solvant, la combinaison d'au moins un agent d'attaque chimique à base de fluor et d'au moins un solvant attaquant sélectivement le carbure de tantale. De plus, l'invention concerne également des procédés de production d'une solution chimique de gravure humide qui comprend la fourniture d'au moins un constituant à base de fluor, la fourniture éventuelle d'au moins un agent chélateur ; la fourniture d'au moins un solvant ou d'un mélange de solvants, et la combinaison du constituant à base de fluor et de l'agent chélateur dans au moins le solvant ou le mélange de solvants pour former une solution chimique de gravure humide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)