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1. (WO2007140149) RAINURAGE DE PLAQUETTE PAR IMPULSION LASER ULTRACOURTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/140149    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/069273
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 18.05.2007
CIB :
H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC. [US/US]; 13900 NW Science Park Drive, Portland, Oregon 97229-5497 (US) (Tous Sauf US).
ALBELO, Jeffrey, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
PIROGOVSKY, Peter [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALBELO, Jeffrey, A.; (US).
PIROGOVSKY, Peter; (US)
Mandataire : BARKER, Aaron, D.; One Utah Center, 201 So. Main Street, Suite 1100, Salt Lake City, Utah 84111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/440,792 25.05.2006 US
Titre (EN) ULTRASHORT LASER PULSE WAFER SCRIBING
(FR) RAINURAGE DE PLAQUETTE PAR IMPULSION LASER ULTRACOURTE
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods are provided for scribing wafers (200) with short laser pulses so as to reduce the ablation threshold of target material. In a stack of material layers (202, 204, 206, 208), a minimum laser ablation threshold based on laser pulse width is determined for each of the layers (202, 204, 206, 208). The highest of the minimum laser ablation thresholds is selected and a beam (216) of one or more laser pulses is generated having a fluence in a range between the selected laser ablation threshold and approximately ten times the selected laser ablation threshold. In one embodiment, a laser pulse width in a range of approximately 0.1 picosecond to approximately 1000 picoseconds is used. In addition, or in other embodiments, a high pulse repetition frequency is selected to increase the scribing speed. In one embodiment, the pulse repetition frequency is in a range between approximately 100 kHz and approximately 100 MHz.
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés de rainurage de plaquettes (200) avec des impulsions laser ultracourtes de façon à réduire le seuil d'ablation d'un matériau cible. Dans une pile de couches de matériau (202, 204, 206, 208), un seuil d'ablation laser minimum fondé sur la durée d'impulsion laser est déterminé pour chacune des couches (202, 204, 206, 208). Le seuil le plus élevé des seuils d'ablation laser minimum est sélectionné et un faisceau (216) d'une ou de plusieurs impulsions laser est généré possédant une fluence dans une plage comprise entre le seuil d'ablation laser sélectionné et approximativement dix fois ce seuil d'ablation laser sélectionné. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée d'impulsion laser utilisée est dans une plage comprise entre approximativement 0,1 picoseconde et approximativement 1000 picosecondes. Par ailleurs, dans d'autres modes de réalisation de l'invention, une fréquence de répétition d'impulsion élevée est sélectionnée pour augmenter la vitesse de rainurage. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la fréquence de répétition d'impulsion est dans une plage comprise entre approximativement 100 KHz et approximativement 100 MHz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)