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1. WO2007139852 - BOÎTIER DE PUISSANCE DISCRET REFROIDI PAR DEUX CÔTÉS HAUTEMENT EFFICACE, ET EN PARTICULIER ÉLÉMENT DE BASE POUR MODULES DE PUISSANCE INNOVANT

Numéro de publication WO/2007/139852
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/012328
Date du dépôt international 23.05.2007
CIB
H01L 23/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
H01L 29/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
CPC
H01L 2224/73153
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
731Location prior to the connecting process
73151on different surfaces
73153Bump and layer connectors
H01L 2224/97
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
93Batch processes
95at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
97the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
H01L 23/3121
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3121a substrate forming part of the encapsulation
H01L 23/3733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3733having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
H01L 23/3735
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
H01L 24/97
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
93Batch processes
95at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
97the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Déposants
  • INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street El Segundo, California 90245, US (AllExceptUS)
  • HAUENSTEIN, Henning M. [DE/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HAUENSTEIN, Henning M.; US
Mandataires
  • WEINER, Samuel H. ; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP 1180 Avenue of the Americas New York, New York 10036, US
Données relatives à la priorité
11/751,93022.05.2007US
60/747,95223.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGHLY EFFICIENT BOTH-SIDE-COOLED DISCRETE POWER PACKAGE, ESPECIALLY BASIC ELEMENT FOR INNOVATIVE POWER MODULES
(FR) BOÎTIER DE PUISSANCE DISCRET REFROIDI PAR DEUX CÔTÉS HAUTEMENT EFFICACE, ET EN PARTICULIER ÉLÉMENT DE BASE POUR MODULES DE PUISSANCE INNOVANT
Abrégé
(EN)
Two DBC wafers have patterned first conductive surfaces which receive a semiconductor die in sandwich fashion. Lead frame terminally extending into the package interior and are connected to the die terminals. The outer conductive surfaces of each of the wafers are available for two-sided cooling of the semiconductor.
(FR)
Deux plaquettes DBC côtés possèdent des surfaces conductrices à motif qui reçoivent une puce semi-conductrice prise en sandwich. Un réseau de conducteurs s'étendant à l'intérieur du boîtier sont connectés aux bornes de la puce. Les surfaces conductrices extérieures de chacune des plaquettes permettent un refroidissement du semiconducteur par les deux côtés.
Également publié en tant que
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