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Paramétrages

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1. WO2007139594 - PUCES D'ÉLÉMENT MICROÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2007/139594
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/001489
Date du dépôt international 19.01.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 31.03.2008
CIB
H01L 23/538 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 21/68 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
CPC
B81B 7/0006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0006Interconnects
B81B 7/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
04Networks or arrays of similar microstructural devices
H01L 21/486
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
486Via connections through the substrate with or without pins
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 21/6836
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
H01L 2221/68318
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
Déposants
  • LUCENT TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 600 Mountain Avenue Murray Hill, NJ 07974-0636, US (AllExceptUS)
  • AKSYUK, Vladimir, Anatolyevich [RU/US]; US (UsOnly)
  • BASAVANHALLY, Nagesh, R. [US/US]; US (UsOnly)
  • FULLOWAN, Robert, Francis [US/US]; US (UsOnly)
  • KORNBLIT, Avinoam [US/US]; US (UsOnly)
  • LAI, Warren, Yiu-cho [US/US]; US (UsOnly)
  • TAYLOR, Joseph, Ashley [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • AKSYUK, Vladimir, Anatolyevich; US
  • BASAVANHALLY, Nagesh, R.; US
  • FULLOWAN, Robert, Francis; US
  • KORNBLIT, Avinoam; US
  • LAI, Warren, Yiu-cho; US
  • TAYLOR, Joseph, Ashley; US
Mandataires
  • BROWN, Jay, M.; The Law Office of Jay M. Brown 6409 Fayetteville Road Suite 120-306 Durham, NC 27713, US
Données relatives à la priorité
11/445,07231.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MICROELECTRONIC ELEMENT CHIPS
(FR) PUCES D'ÉLÉMENT MICROÉLECTRONIQUE
Abrégé
(EN)
Apparatus including a chip substrate having a first chip surface facing away from a second chip surface; an array of microelectronic elements on the first chip surface; and an array of conductors each in communication with one of the microelectronic elements, the conductors passing through the chip substrate and fully spanning a distance between the first and second chip surfaces. Process including: providing an apparatus including a chip substrate having a first chip surface facing away from a second chip surface, an array of microelectronic elements being on the first chip surface, an array of conductors each being in communication with one of the microelectronic elements and partially spanning an average distance between the first and second chip surfaces; bonding a temporary support carrier onto the array of microelectronic elements; removing a portion of the chip substrate, thereby reducing the average distance between the first and second chip surfaces; and forming an under bump metallization pad at the second chip surface in electrical communication with a conductor.
(FR)
L'invention concerne un appareil comprenant un substrat de puce comportant une première surface de puce tournée vers une seconde surface de puce, mais éloignée de celle-ci ; un réseau d'éléments microélectroniques sur la première surface de puce ; un réseau de conducteurs, chacun en communication avec l'un des éléments microélectroniques, les conducteurs passant à travers le substrat de puce et s'étendant entièrement sur une distance entre la première et la seconde surface de puce. L'invention concerne également un procédé comprenant les étapes consistant à fournir un appareil comprenant un substrat de puce ayant une première surface de puce tournée vers une seconde surface de puce mais éloignée de celle-ci, un réseau d'éléments microélectroniques étant disposé sur la première surface de puce, un réseau de conducteurs étant chacun en communication avec l'un des éléments microélectroniques et s'étendant partiellement sur une distance moyenne entre la première et la seconde surface de puce ; lier un porteur de support temporaire sur le réseau d'éléments microélectroniques ; retirer une partie du substrat de puce, réduisant ainsi la distance moyenne entre la première et la seconde surface de puce ; et former un tampon de métallisation sous bosse au niveau de la seconde surface de puce en communication électrique avec un conducteur.
Également publié en tant que
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