WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007139254) CAPTEUR D'IMAGE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE SON SIGNAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/139254    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/004174
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 16.10.2006
CIB :
H04N 5/361 (2011.01)
Déposants : PIXELPLUS CO., LTD. [KR/KR]; #505 Intellige 1, Kins Tower, 25-1, Jeongja-dong Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 463-811 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Jawoong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
MIN, Dae Sung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jawoong; (KR).
MIN, Dae Sung; (KR)
Mandataire : BAE, KIM & LEE IP GROUP; Hankook Tire Bldg., 647-15 Yoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-723 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0047081 25.05.2006 KR
Titre (EN) IMAGE SENSOR AND METHOD FOR SENSING SIGNAL THEREOF
(FR) CAPTEUR D'IMAGE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE SON SIGNAL
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS image sensor pixel which comprises a multi-functional charge sensing unit and a method for sensing a signal thereof. Wherein a voltage of a n-type diffusion region of a charge sensing node is highly boosted even in a low driving voltage and a signal voltage is coupled out with a coupling capacitor without forming ohmic contact in the n-type diffusion region of the charge sensing node.
(FR)L'invention concerne un pixel de capteur d'images CMOS qui comprend une unité de détection de charge multifonctionnelle et un procédé de détection de son signal. Une tension d'une zone de diffusion de type n d'un noeud de détection de charge est hautement amplifiée même en tension de commande faible et une tension de signal est couplée avec un condensateur de couplage sans former un contact ohmique dans la zone de diffusion de type n du neoud de détection de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)