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Paramétrages

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1. WO2007139253 - PIXEL DE CAPTEUR D'IMAGE AYANT UNE PHOTODIODE À CONDENSATEUR DE COUPLAGE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'UN SIGNAL

Numéro de publication WO/2007/139253
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2006/004173
Date du dépôt international 16.10.2006
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H01L 27/14689
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14689MOS based technologies
Déposants
  • PIXELPLUS CO., LTD. [KR/KR]; #505 Intellige 1, Kins Tower, 25-1 Jeongja-dong, Bundang-gu, seongnam-si Gyeonggi-do 463-811, KR (AllExceptUS)
  • LEE, Jawoong [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • HAN, Sang Wook [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • LEE, Jawoong; KR
  • HAN, Sang Wook; KR
Mandataires
  • BAE, KIM & LEE IP GROUP; Hankook Tire Bldg., 647-15 Yoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-723, KR
Données relatives à la priorité
10-2006-004721425.05.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) IMAGE SENSOR PIXEL HAVING PHOTODIODE WITH COUPLING CAPACITOR AND METHOD FOR SENSING A SIGNAL
(FR) PIXEL DE CAPTEUR D'IMAGE AYANT UNE PHOTODIODE À CONDENSATEUR DE COUPLAGE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'UN SIGNAL
Abrégé
(EN)
A photodiode with a floating layer and coupling capacitor, and an image sensor pixel using it. The photodiode comprises an epitaxial layer having a first conductive type; a first diffusion region having a second conductive type formed in the epitaxial layer; a second diffusion region having a first conductive type formed over the first diffusion region; and a coupling capacitor configured to transmit outside a voltage change of the first diffusion region. The active pixel comprises the photodiode described above, a reset switch, a multi-functional switch between a variable voltage source and an output terminal of the coupling capacitor, and a signal amplifier.
(FR)
L'invention concerne une photodiode à couche flottante et condensateur de couplage, et un pixel de capteur d'image l'utilisant. La photodiode comprend une couche épitaxiale ayant un premier type de conductivité; une première zone de diffusion ayant un second type de conductivité formé dans la couche épitaxiale; une seconde zone de diffusion ayant un premier type de conductivité formé sur la zone de diffusion; et un condensateur de couplage conçu pour transmettre à l'extérieur un changement de tension de la première zone de diffusion. Le pixel actif comprend la photodiode décrite ci-dessus, un commutateur de réenclenchement, un commutateur multifonctionnel entre une source de tension variable et un terminal de sortie du condensateur de couplage, et un amplificateur de signaux.
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