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1. (WO2007139142) PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA, PROCÉDÉ POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/139142    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060976
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 30.05.2007
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
KOHNO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHITA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOHNO, Masayuki; (JP).
NISHITA, Tatsuo; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-152434 31.05.2006 JP
Titre (EN) PLASMA CVD METHOD, METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA CVD METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA, PROCÉDÉ POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA
(JA) プラズマCVD方法、窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびプラズマCVD装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing apparatus is provided with a process chamber which can be vacuumized; a placing table for placing a subject to be processed in the processing chamber; a microwave generating source for generating microwaves; a planar antenna, which has a plurality of slots and introduces the microwaves generated by the microwave generating source into the process chamber through the slots; a gas supply mechanism for supplying a film forming material gas into the process chamber; and a high-frequency power supply for supplying the placing table with high-frequency power. By using such plasma processing apparatus, a nitrogen containing gasand a silicon containing gas introduced into the process chamber are brought into the plasma state, and at the time of depositing a silicon nitride film on the surface of the substrate by the plasma, the placing table is supplied with high-frequency power.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement à plasma doté d'une chambre de traitement qui peut être mise sous vide ; d'une table de placement pour placer un objet devant être traité dans la chambre de traitement ; d'une source de génération de micro-ondes pour générer des micro-ondes ; d'une antenne plan, dotée d'une pluralité de fentes et permettant d'introduire les micro-ondes générées par la source de génération de micro-ondes à l'intérieur de la chambre de traitement à travers les fentes ; d'un mécanisme d'approvisionnement en gaz pour alimenter l'intérieur de la chambre de traitement en gaz de matériau de formation de film ; et d'unealimentation de puissance haute fréquence pour alimenter la table de placement en puissance haute fréquence. Par l'utilisation d'un tel appareil de traitement à plasma, un gaz contenant de l'azote et un gaz contenant du silicium introduits à l'intérieur de la chambre de traitement sont amenés à l'état de plasma, et au moment du dépôt d'un film de nitrure de silicium sur la surface du substrat par le plasma, la table de placement est alimentée en puissance haute fréquence.
(JA) 真空排気可能な処理室と、処理室内で被処理体を載置する載置台と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、複数のスロットを有し、マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を前記スロットを介して前記処理室内に導入する平面アンテナと、処理室内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構と、載置台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置を用い、処理室内に導入した窒素含有ガスとシリコン含有ガスをマイクロ波によりプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板の表面に窒化珪素膜を堆積させる際に、載置台に高周波電力を供給する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)