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Paramétrages

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1. WO2007139108 - DISPOSITIF DE COMMANDE D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2007/139108
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060901
Date du dépôt international 29.05.2007
CIB
H03K 17/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
B60R 16/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
60VÉHICULES EN GÉNÉRAL
RVÉHICULES, ÉQUIPEMENTS OU PARTIES DE VÉHICULES, NON PRÉVUS AILLEURS
16Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs
02électriques
H01J 1/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
CPC
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
H03K 2017/0806
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
0806against excessive temperature
Déposants
  • 株式会社オートネットワーク技術研究所 AUTONETWORKS TECHNOLOGIES, LTD. [JP/JP]; 〒5108503 三重県四日市市西末広町1番14号 Mie 1-14, Nishisuehiro-cho Yokkaichi-shi Mie 5108503, JP (AllExceptUS)
  • 住友電装株式会社 SUMITOMO WIRING SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 〒5108503 三重県四日市市西末広町1番14号 Mie 1-14, Nishisuehiro-cho, Yokkaichi-shi Mie 5108503, JP (AllExceptUS)
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜4丁目5番33号 Osaka 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
  • 高橋 成治 TAKAHASHI, Seiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 高橋 成治 TAKAHASHI, Seiji; JP
Mandataires
  • 後呂 和男 GORO, Kazuo; 〒4600008 愛知県名古屋市中区栄町二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 暁合同特許事務所 Aichi AKATSUKI UNION PATENT FIRM 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg. 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
Données relatives à la priorité
2006-15370401.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POWER SUPPLY CONTROL DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 電力供給制御装置
Abrégé
(EN)
A comparator circuit (54) receives a third abnormal threshold voltage (Vop) from a threshold voltage generator (52) at one input terminal, and, when a terminal voltage (Vo) becomes lower than this third abnormal threshold voltage (Vop), outputs a low level disconnection abnormality judgment signal (OP) to a control logic (27). Three threshold setting resistors (64a to 64c) are connected in series between the source of a power MOSFET (14) and a ground terminal (P6), and a divided voltage at the connection point (Y) between the threshold setting resistor (64a) and the threshold setting resistor (64b) is outputted as the above third abnormal threshold voltage (Vop).
(FR)
Un circuit comparateur (54) faisant l'objet de cette invention reçoit une troisième tension de seuil anormale (Vop) à partir d'un générateur de tension de seuil (52) au niveau d'une borne d'entrée, et, lorsqu'une tension de borne (Vo) devient plus faible que cette troisième tension de seuil anormale (Vop), il émet un signal d'appréciation d'anomalie pour déconnexion à faible niveau (OP) en direction d'une logique de commande (27). Trois résistances de réglage de seuil (de 64a à 64c) sont reliées en série entre la source d'un transistor de puissance de type MOSFET (14) et une borne de terre (P6), et une tension divisée au point de connexion (Y) entre la résistance de réglage de seuil (64a) et la résistance de réglage de seuil (64b) est émise en tant que troisième tension de seuil anormale (Vop) susmentionnée.
(JA)
比較回路54は、他方の入力端子に閾値電圧生成部52からの第3異常用閾値電圧Vopを受けて、この第3異常用閾値電圧Vopを端子電圧Voが下回ったときにローレベルの断線異常判定信号OPをコントロールロジック部27に出力する。パワーMOSFET14のソースとグランド端子P6との間に3つの閾値設定用抵抗64a~64cが直列接続されており、閾値設定用抵抗64aと閾値設定用抵抗64bとの接続点Yの分圧電圧が上記第3異常用閾値電圧Vopとして出力される。
Également publié en tant que
DE1120070012935
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