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1. (WO2007139086) SUBSTRAT DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU DIAMÈTRE D'UNE PARTICULE D'UN CATALYSEUR DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE ET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/139086    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060859
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 29.05.2007
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), B01J 23/755 (2006.01), B01J 33/00 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
NAKANO, Haruhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Takahisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI, Hirohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKANO, Haruhisa; (JP).
YAMAZAKI, Takahisa; (JP).
MURAKAMI, Hirohiko; (JP)
Mandataire : EXEO Patent & Trademark Company; 2nd Fl., Ebisu Lite Bldg. 1-19, Ebisuminami 3-chome Shibuya-ku, Tokyo 1050022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-147725 29.05.2006 JP
2006-239748 05.09.2006 JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, METHOD FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, METHOD FOR CONTROL OF PATICLE DIAMETER OF CATALYST FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR CONTROL CARBON NANOTUBE DIAMETER
(FR) SUBSTRAT DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU DIAMÈTRE D'UNE PARTICULE D'UN CATALYSEUR DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE ET
(JA) カーボンナノチューブ成長用基板、カーボンナノチューブ成長方法、カーボンナノチューブ成長用触媒の粒径制御方法、及びカーボンナノチューブ径の制御方法
Abrégé : front page image
(EN)A substrate for the growth of a carbon nanotube having a catalyst layer microparticulated by using an arc plasma gun. CNT is grown on the catalyst layer by thermal CVD or remote plasma CVD. The particle diameter of the catalyst for the growth of CNT is regulated by the number of shots of the arc plasma gun. CNT is grown on the catalyst layer having a regulated catalyst particle diameter by thermal CVD or remote plasma CVD to regulate the inner diameter or outer diameter of CNT.
(FR)La présente invention concerne un substrat destiné à la croissance d'un nanotube de carbone (CNT) possédant une couche catalytique dénaturée en microparticules par un pistolet à plasma d'arc. Le CNT croît sur la couche catalytique par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) thermique ou par CVD à distance assisté par plasma. Le diamètre de particule du catalyseur, destiné à la croissance de CNT, est régulé par le nombre de tirs effectués avec le pistolet à plasma d'arc. Le CNT croît sur la couche catalytique possédant un diamètre de particule de catalyseur régulé par CVD thermique ou CVD à distance assisté par plasma en vue de réguler le diamètre interne ou externe du CNT.
(JA)アークプラズマガンを用いて微粒子化された触媒層を有するカーボンナノチューブ成長用基板。この触媒層上に熱CVD法又はリモートプラズマCVD法によりCNTを成長させる。アークプラズマガンのショット数でCNT成長用触媒の粒径を制御する。この触媒粒径の制御された触媒層上に熱CVD法又はリモートプラズマCVD法によりCNTを成長させ、その内径又は外径を制御する。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)