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Paramétrages

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1. WO2007139086 - SUBSTRAT DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU DIAMÈTRE D'UNE PARTICULE D'UN CATALYSEUR DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE ET

Numéro de publication WO/2007/139086
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060859
Date du dépôt international 29.05.2007
CIB
C01B 31/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
02Préparation du carbone; Purification
B01J 23/755 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
JPROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE OU CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
23Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe B01J21/121
70du cuivre ou des métaux du groupe du fer
74Métaux du groupe du fer
755Nickel
B01J 33/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
JPROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE OU CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
33Protection des catalyseurs, p.ex. par revêtement
C23C 14/24 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
24Evaporation sous vide
CPC
B01J 23/74
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
23Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
70of the iron group metals or copper
74Iron group metals
B01J 37/349
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
37Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
34Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation
349making use of flames, plasmas or lasers
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 2202/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2202Structure or properties of carbon nanotubes
20Nanotubes characterized by their properties
36Diameter
C01B 32/162
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
158Carbon nanotubes
16Preparation
162characterised by catalysts
Déposants
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
  • 中野 美尚 NAKANO, Haruhisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山崎 貴久 YAMAZAKI, Takahisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 村上 裕彦 MURAKAMI, Hirohiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 中野 美尚 NAKANO, Haruhisa; JP
  • 山崎 貴久 YAMAZAKI, Takahisa; JP
  • 村上 裕彦 MURAKAMI, Hirohiko; JP
Mandataires
  • 特許業務法人エクシオ EXEO Patent & Trademark Company; 〒1500022 東京都渋谷区恵比寿南3-1-19 恵比寿ライトビル2階 Tokyo 2nd Fl., Ebisu Lite Bldg. 1-19, Ebisuminami 3-chome Shibuya-ku, Tokyo 1050022, JP
Données relatives à la priorité
2006-14772529.05.2006JP
2006-23974805.09.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, METHOD FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, METHOD FOR CONTROL OF PATICLE DIAMETER OF CATALYST FOR GROWTH OF CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR CONTROL CARBON NANOTUBE DIAMETER
(FR) SUBSTRAT DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE, PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU DIAMÈTRE D'UNE PARTICULE D'UN CATALYSEUR DESTINÉ À LA CROISSANCE DE NANOTUBES DE CARBONE ET
(JA) カーボンナノチューブ成長用基板、カーボンナノチューブ成長方法、カーボンナノチューブ成長用触媒の粒径制御方法、及びカーボンナノチューブ径の制御方法
Abrégé
(EN)
A substrate for the growth of a carbon nanotube having a catalyst layer microparticulated by using an arc plasma gun. CNT is grown on the catalyst layer by thermal CVD or remote plasma CVD. The particle diameter of the catalyst for the growth of CNT is regulated by the number of shots of the arc plasma gun. CNT is grown on the catalyst layer having a regulated catalyst particle diameter by thermal CVD or remote plasma CVD to regulate the inner diameter or outer diameter of CNT.
(FR)
La présente invention concerne un substrat destiné à la croissance d'un nanotube de carbone (CNT) possédant une couche catalytique dénaturée en microparticules par un pistolet à plasma d'arc. Le CNT croît sur la couche catalytique par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) thermique ou par CVD à distance assisté par plasma. Le diamètre de particule du catalyseur, destiné à la croissance de CNT, est régulé par le nombre de tirs effectués avec le pistolet à plasma d'arc. Le CNT croît sur la couche catalytique possédant un diamètre de particule de catalyseur régulé par CVD thermique ou CVD à distance assisté par plasma en vue de réguler le diamètre interne ou externe du CNT.
(JA)
アークプラズマガンを用いて微粒子化された触媒層を有するカーボンナノチューブ成長用基板。この触媒層上に熱CVD法又はリモートプラズマCVD法によりCNTを成長させる。アークプラズマガンのショット数でCNT成長用触媒の粒径を制御する。この触媒粒径の制御された触媒層上に熱CVD法又はリモートプラズマCVD法によりCNTを成長させ、その内径又は外径を制御する。  
Également publié en tant que
KR1020087031229
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