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1. (WO2007138937) dispositif semi-conducteur et procÉdÉ de fabrication de celui-ci
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/138937    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060477
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 16.05.2007
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
KAKEHATA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Tetsuhiro; (US Seulement).
ASAMI, Yoshinobu; (US Seulement)
Inventeurs : KAKEHATA, Tetsuya; (JP).
TANAKA, Tetsuhiro; .
ASAMI, Yoshinobu;
Données relatives à la priorité :
2006-147467 26.05.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) dispositif semi-conducteur et procÉdÉ de fabrication de celui-ci
Abrégé : front page image
(EN)An object is to provide a technique to manufacture an insulating film having excellent film characteristics. In particular, an object is to provide a technique to manufacture a dense insulating film with a high withstand voltage. Moreover, an object is to provide a technique to manufacture an insulating film with few electron traps. An insulating film including oxygen is subjected to plasma treatment using a high frequency under the conditions where the electron density is 1 1011 cm-3 or more and the electron temperature is 1.5 eV or less in an atmosphere including oxygen.
(FR)L'invention a pour objectif de proposer un procédé de fabrication d'un film isolant doté d'excellentes caractéristiques de film, en particulier, de proposer une technique de fabrication d'un film isolant dense doté d'une tension de tenue élevée. De plus, l'invention propose un procédé de fabrication d'un film isolant présentant peu de pièges à électrons. Un film isolant comprenant de l'oxygène est soumis à un traitement par plasma utilisant une haute fréquence dans des conditions où la densité d'électrons est de 1 1011 cm-3 ou davantage et la température d'électrons est de 1,5 eV ou moins dans une atmosphère comprenant de l'oxygène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)