Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007138774 - SOURCE LUMINEUSE À SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUIT D'ATTAQUE DE DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR

Numéro de publication WO/2007/138774
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/055090
Date du dépôt international 14.03.2007
CIB
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
CPC
H01S 5/042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 上田 大助 UEDA, Daisuke; null (UsOnly)
  • 油利 正昭 YURI, Masaaki; null (UsOnly)
  • 杉浦 勝己 SUGIURA, Katsumi; null (UsOnly)
  • 松田 賢一 MATSUDA, Kenichi; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 上田 大助 UEDA, Daisuke; null
  • 油利 正昭 YURI, Masaaki; null
  • 杉浦 勝己 SUGIURA, Katsumi; null
  • 松田 賢一 MATSUDA, Kenichi; null
Mandataires
  • 前田 弘 MAEDA, Hiroshi; 〒5410053 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
Données relatives à la priorité
2006-15164631.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE AND LIGHT-EMITTING DEVICE DRIVE CIRCUIT
(FR) SOURCE LUMINEUSE À SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUIT D'ATTAQUE DE DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR
(JA) 半導体光源装置及び発光素子駆動回路
Abrégé
(EN)
Disclosed is a semiconductor light source comprising a light-emitting device (101) having a plurality of semiconductor layers each composed of a nitride semiconductor, and a drive circuit (102) for driving the light-emitting device (101). The drive circuit (102) performs a forward drive operation for having the light-emitting device (101) emit light by supplying a forward current to the light-emitting device, and a reverse drive operation wherein a reverse bias is applied to the light-emitting device. The size of the reverse bias is restricted by a reverse current flowing through the light-emitting device.
(FR)
La présente invention concerne une source lumineuse à semi-conducteurs comprenant un dispositif photoémetteur (101) doté d'une pluralité de couches de semi-conducteurs, chacune étant composée d'un semi-conducteur nitrure et d'un circuit de commande (102) destiné à commander le dispositif photoémetteur (101). Le circuit de commande (102) effectue une opération de marche avant destinée à entraîner l'émission de lumière de la part du dispositif photoémetteur (101) en fournissant un courant avant au dispositif photoémetteur, et une opération de marche arrière dans laquelle une polarisation inverse est appliquée au dispositif photoémetteur. La taille de la polarisation inverse est limitée par un courant inverse traversant le dispositif photoémetteur.
(JA)
 半導体光源装置は、窒化物半導体よりなる複数の半導体層を有する発光素子101と、発光素子101を駆動する駆動回路102とを有している。駆動回路102は、発光素子に順方向電流を供給することにより発光素子101を発光させる順方向駆動動作と、発光素子に逆方向バイアスを印加する逆方向駆動動作とを行う。逆方向バイアスの大きさは、発光素子に流れる逆方向電流値によって制限される。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international