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Paramétrages

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1. WO2007138754 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2007/138754
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/050248
Date du dépôt international 11.01.2007
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/8247 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
8247programmables électriquement (EPROM)
H01L 27/115 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
H01L 29/423 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/788 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
788à grille flottante
CPC
G02F 1/13454
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
13454Drivers integrated on the active matrix substrate
H01L 21/84
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
84the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 27/11526
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11526characterised by the peripheral circuit region
H01L 27/11531
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11526characterised by the peripheral circuit region
11531Simultaneous manufacturing of periphery and memory cells
Déposants
  • シャープ株式会社 Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
  • 島田里美 SHIMADA, Satomi; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 島田里美 SHIMADA, Satomi; null
Mandataires
  • 安富康男 YASUTOMI, Yasuo; 〒5320003 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 新大阪MT-2ビル Osaka MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka5320003, JP
Données relatives à la priorité
2006-15185331.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、その製造方法、及び、表示装置
Abrégé
(EN)
Disclosed is a semiconductor device wherein at least three kinds of transistors are arranged on a same insulating substrate. The semiconductor device can be manufactured by a simple process. Also disclosed are a method for manufacturing such a semiconductor device and a display. Specifically disclosed is a semiconductor device having at least three kinds of transistors arranged on a same insulating substrate, wherein a first transistor has a multilayer structure in which a first semiconductor layer, a first insulating film, a first gate electrode, a second insulating film and a second gate electrode are arranged in this order, a second transistor has a multilayer structure in which a second semiconductor layer, a third insulating film, a fourth insulating film and a third gate electrode are arranged in this order, and a third transistor has a multilayer structure in which a third semiconductor layer, a fifth insulating film, a fourth gate electrode and a sixth insulating film are arranged in this order. The third insulating film and the fifth insulating film are made of the material for the first insulating film, while the fourth insulating film and the sixth insulating film are made of the material for the second insulating film.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant au moins trois types de transistors disposés sur un même substrat isolant. Le dispositif semi-conducteur peut être fabriqué par un processus simple. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur et un affichage. Elle concerne spécifiquement un dispositif semi-conducteur comportant au moins trois types de transistors disposés sur un même substrat isolant, un premier transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une première couche semi-conductrice, une première pellicule isolante, une première électrode de gâchette, une deuxième pellicule isolante, et une deuxième électrode de gâchette sont disposées dans cet ordre, un deuxième transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une deuxième couche semi-conductrice, une troisième pellicule isolante, une quatrième pellicule isolante et une troisième électrode de gâchette sont disposées dans cet ordre, et un troisième transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une troisième couche semi-conductrice, une cinquième pellicule isolante, une quatrième électrode de gâchette et une sixième pellicule isolante sont disposées dans cet ordre. La troisième pellicule isolante et la cinquième pellicule isolante sont constituées du matériau pour la première pellicule isolante, tandis que la quatrième pellicule isolante et la sixième pellicule isolante sont constituées du matériau pour la deuxième pellicule isolante.
(JA)
本発明は、少なくとも3種のトランジスタを同一の絶縁基板上に有し、かつ製造の簡略化を図ることが可能な半導体装置、その製造方法、及び、表示装置を提供する。本発明の半導体装置は、絶縁基板上に少なくとも3種のトランジスタを備える半導体装置であって、第1トランジスタは、第1半導体層、第1絶縁膜、第1ゲート電極、第2絶縁膜及び第2ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、第2トランジスタは、第2半導体層、第3絶縁膜、第4絶縁膜及び第3ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、第3トランジスタは、第3半導体層、第5絶縁膜、第4ゲート電極及び第6絶縁膜がこの順に積層された構造を有し、上記第3絶縁膜及び第5絶縁膜は、第1絶縁膜の材料からなり、上記第4絶縁膜及び第6絶縁膜は、第2絶縁膜の材料からなる半導体装置である。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international