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1. (WO2007138754) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/138754    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050248
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 11.01.2007
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
SHIMADA, Satomi [JP/--]; (US Seulement)
Inventeurs : SHIMADA, Satomi;
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-151853 31.05.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、その製造方法、及び、表示装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device wherein at least three kinds of transistors are arranged on a same insulating substrate. The semiconductor device can be manufactured by a simple process. Also disclosed are a method for manufacturing such a semiconductor device and a display. Specifically disclosed is a semiconductor device having at least three kinds of transistors arranged on a same insulating substrate, wherein a first transistor has a multilayer structure in which a first semiconductor layer, a first insulating film, a first gate electrode, a second insulating film and a second gate electrode are arranged in this order, a second transistor has a multilayer structure in which a second semiconductor layer, a third insulating film, a fourth insulating film and a third gate electrode are arranged in this order, and a third transistor has a multilayer structure in which a third semiconductor layer, a fifth insulating film, a fourth gate electrode and a sixth insulating film are arranged in this order. The third insulating film and the fifth insulating film are made of the material for the first insulating film, while the fourth insulating film and the sixth insulating film are made of the material for the second insulating film.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant au moins trois types de transistors disposés sur un même substrat isolant. Le dispositif semi-conducteur peut être fabriqué par un processus simple. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur et un affichage. Elle concerne spécifiquement un dispositif semi-conducteur comportant au moins trois types de transistors disposés sur un même substrat isolant, un premier transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une première couche semi-conductrice, une première pellicule isolante, une première électrode de gâchette, une deuxième pellicule isolante, et une deuxième électrode de gâchette sont disposées dans cet ordre, un deuxième transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une deuxième couche semi-conductrice, une troisième pellicule isolante, une quatrième pellicule isolante et une troisième électrode de gâchette sont disposées dans cet ordre, et un troisième transistor comportant une structure multicouche dans laquelle une troisième couche semi-conductrice, une cinquième pellicule isolante, une quatrième électrode de gâchette et une sixième pellicule isolante sont disposées dans cet ordre. La troisième pellicule isolante et la cinquième pellicule isolante sont constituées du matériau pour la première pellicule isolante, tandis que la quatrième pellicule isolante et la sixième pellicule isolante sont constituées du matériau pour la deuxième pellicule isolante.
(JA)本発明は、少なくとも3種のトランジスタを同一の絶縁基板上に有し、かつ製造の簡略化を図ることが可能な半導体装置、その製造方法、及び、表示装置を提供する。本発明の半導体装置は、絶縁基板上に少なくとも3種のトランジスタを備える半導体装置であって、第1トランジスタは、第1半導体層、第1絶縁膜、第1ゲート電極、第2絶縁膜及び第2ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、第2トランジスタは、第2半導体層、第3絶縁膜、第4絶縁膜及び第3ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、第3トランジスタは、第3半導体層、第5絶縁膜、第4ゲート電極及び第6絶縁膜がこの順に積層された構造を有し、上記第3絶縁膜及び第5絶縁膜は、第1絶縁膜の材料からなり、上記第4絶縁膜及び第6絶縁膜は、第2絶縁膜の材料からなる半導体装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)