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Paramétrages

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1. WO2007138745 - DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYON X À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2007/138745
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/000570
Date du dépôt international 29.05.2007
CIB
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
G01T 1/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
24avec des détecteurs à semi-conducteurs
CPC
H01L 31/022416
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022416comprising ring electrodes
H01L 31/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Déposants
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 〒6048511 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 Kyoto 1, Nishinokyo-Kuwabara-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
  • 山田実 YAMADA, Minoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 島田勝 SIMADA, Masaru [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 山田実 YAMADA, Minoru; JP
  • 島田勝 SIMADA, Masaru; JP
Mandataires
  • 有近紳志郎 ARICHIKA, Shinshiro; 〒1690075 東京都新宿区高田馬場4丁目30番23号 Tokyo 30-23, Takadanobaba 4-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1690075, JP
Données relatives à la priorité
2006-15076631.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYON X À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体X線検出素子
Abrégé
(EN)
The i layer (1) of a semiconductor X-ray detecting device has not a top-hat shape but a generally cylindrical shape. A p layer (5) is so formed as to cover the peripheral surface of the i layer (1). Even if the area of an n+ layer (2) and an n-surface electrode (3) is smaller than that of the bottom of the n-surface electrode side of the i layer (1), the electric field (E) covers the whole i layer (1). Even if the area of the n+ layer (2) and the n-surface electrode (3) is 33% or less of that of the bottom of the n-surface electrode side of the i layer (1), no spectrum shape defect occurs, and the energy resolution can be small.
(FR)
La présente invention concerne la couche i (1) d'un dispositif de détection de rayon X à base de semi-conducteurs qui n'est pas en forme de chapeau haut mais généralement en forme cylindrique. Une couche p (5) est ainsi formée pour couvrir la surface périphérique de la couche i (1). Même si la zone d'une couche n+ (2) et une électrode de surface n (3) sont inférieures à celle du bas du côté de l'électrode de surface n de la couche i (1), le champ électrique (E) couvre la couche i (1) intégralement. Même si la zone de couche de n+ (2) et l'électrode de surface n (3) est 33 % ou moins de celle de la partie inférieure du coté de l'électrode de surface n de la couche i (1), aucun défaut de forme de spectre ne survient, et la résolution d'énergie peut être faible.
(JA)
 半導体X線検出素子のi層(1)をトップハット型でなくほぼ円柱状にすると共に、そのi層(1)の周面をほぼ覆うようにp層(5)を設けた。n+層(2)およびn面電極(3)の面積をi層(1)のn面電極側の底面の面積より小さくしても電界Eがi層(1)の全体にかかるようになる。よって、n+層(2)およびn面電極(3)の面積をi層(1)のn面電極側の底面の面積の33%以下に小さくしてもスペクトルの形状不良が生じず、エネルギー分解能を小さくすることが出来る。
Également publié en tant que
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