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Paramétrages

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1. WO2007138658 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE NITRURE

Numéro de publication WO/2007/138658
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/310551
Date du dépôt international 26.05.2006
CIB
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01S 5/343 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01L 33/02 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
  • 中原 健 NAKAHARA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 伊藤 範和 ITO, Norikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 堤 一陽 TSUTSUMI, Kazuaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 中原 健 NAKAHARA, Ken; JP
  • 伊藤 範和 ITO, Norikazu; JP
  • 堤 一陽 TSUTSUMI, Kazuaki; JP
Mandataires
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abrégé
(EN)
A nitride semiconductor light-emitting device having an improved efficiency of carrier injection from a p-type nitride semiconductor layer into an active layer by simple means from a point of view quite different from conventional techniques. On a sapphire substrate (1), a buffer layer (2), an undoped GaN layer (3), an n-type GaN contact layer (4), InGaN/GaN superlattice layer (5), an active layer (6), a first undoped InGaN layer (7), a second undoped InGaN layer (8), and a p-type GaN system contact layer (9) are formed. A p-electrode (10) is formed on the P-type GaN system contact layer (9). An n-electrode (11) is formed on the surface where the n-type GaN contact layer (4) is exposed by mesa-etching. The first undoped InGaN layer (7) is in contact with the well layer nearest to the p-side of the active layer having a quantum well structure. The second undoped InGaN layer (8) is provided on the first undoped InGaN layer (7). Since the total thickness of the first and second undoped InGaN layers is 20 nm or less, the efficiency of carrier injection can be increased.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs de nitrure ayant une efficacité améliorée d'injection de porteuse à partir d'une couche à semi-conducteurs de nitrure de type p dans une couche active par un moyen simple d'un point de vue assez différent des techniques conventionnelles. Sur un substrat de saphir (1), une couche tampon (2), une couche de GaN non dopé (3), une couche de contact de GaN de type n (4), une couche en super-réseau de InGaN/GaN (5), une couche active (6), une première couche de InGaN non dopé (7), une couche de InGaN non dopé (8) et une couche de contact de système de GaN de type p (9) sont formées. Une électrode p (10) est formée sur la couche de contact du système GaN de type p (9). Une électrode n (11) est formée sur la surface où la couche de contact de GaN de type n (4) est exposée par mésa-décapage. La première couche de InGaN non dopé (7) est en contact avec la couche de puits la plus proche du côté p de la couche active ayant une structure de puits quantique. La seconde couche de InGaN non dopé (8) est prévue sur la première couche de InGaN non dopé (7). Puisque l'épaisseur totale de la première et de la seconde couche de InGaN non dopé est de 20 nm ou moins, l'efficacité de l'injection de porteuse peut être augmentée.
(JA)
 従来技術とは全く別の視点から、簡単な手段により、p型窒化物半導体層から活性層へのキャリア注入効率を向上させた窒化物半導体発光素子を提供する。  サファイア基板1上にバッファ層2、アンドープGaN層3、n型GaNコンタクト層4、InGaN/GaN超格子層5、活性層6、第1アンドープInGaN層7、第2アンドープInGaN層8、p型Gan系コンタクト層9が積層されており、p型Gan系コンタクト層9上にp電極10が、メサエッチングされてn型GaNコンタクト層4が露出した面にn電極11が形成されている。量子井戸構造を有する活性層のp側に最も近い井戸層に接して第1アンドープInGaN層7、これに続けて第2アンドープInGaN層8が形成されており、第1及び第2アンドープInGaN層の合計膜厚を20nm以下にすることで、活性層6へのキャリア注入効率を高めることができる。
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