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1. (WO2007138657) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/138657    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310546
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 26.05.2006
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUTSUMI, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAHARA, Ken; (JP).
ITO, Norikazu; (JP).
TSUTSUMI, Kazuaki; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a nitride semiconductor light emitting element that, from a view point utterly different from the prior art, could have realized an improvement in the efficiency of carrier injection from a p-type nitride semiconductor layer into an active layer by simple means. The nitride semiconductor light emitting element comprises a sapphire substrate (1) and, stacked on the sapphire substrate (1), a buffer layer (2), an undoped GaN layer (3), an n-type GaN contact layer (4), an InGaN/GaN superlattice layer (5), an active layer (6), an undoped InGaN-base layer (7), and a p-type GaN-base contact layer (8). A p electrode (9) is formed on a p-type GaN-base contact layer (8), and an n electrode (10) is formed on a plane on which the n-type GaN contact layer (4) is exposed as a result of mesa etching. An intermediate semiconductor layer provided between a well layer closest to the p side of the active layer having a quantum well structure and the p-type GaN-base contact layer (8) includes an undoped InGaN layer (7), and the efficiency of carrier injection into the active layer (6) can be enhanced by bringing the total film thickness of the intermediate semiconductor layer to not more than 20 nm.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur de nitrure qui, d'un point de vue complètement différent de la technique actuelle, permettrait de réaliser une amélioration au niveau du rendement d'injection de porteuse à partir d'une couche à semi-conducteur de nitrure de type p dans une couche active par un moyen simple. L'élement électroluminescent à semi-conducteur de nitrure comprend un substrat de saphir (1) et, empilées sur le substrat de saphir (1), une couche tampon (2), une couche GaN non dopée (3), une couche de contact GaN de type n (4), une couche de réseau InGaN/GaN (5), une couche active (6), une couche de base InGaN non dopée (7), et une couche de contact de base GaN de type p (8). Une électrode p (9) est formée sur la couche de contact de base GaN de type p (8), et une électrode n (10) est formée sur un plan sur lequel la couche de contact GaN de type n (4) est exposée par suite de gravure mésa. Une couche à semi-conducteur intermédiaire placée entre une couche de puits le plus près possible ducôté p de la couche active présentant une structure de puits quantique et la couche de contact de base GaN de type p (8) comporte une couche InGaN non dopée (7), et l'efficacité d'injection de porteuses dans la couche active (6) peut être renforcée par une épaisseur de film totale de la couche à semi-conducteur intermédiaire n'excédant pas 20nm.
(JA) 従来技術とは全く別の視点から、簡単な手段により、p型窒化物半導体層から活性層へのキャリア注入効率を向上させた窒化物半導体発光素子を提供する。  サファイア基板1上にバッファ層2、アンドープGaN層3、n型GaNコンタクト層4、InGaN/GaN超格子層5、活性層6、アンドープInGaN層7、p型GaN系コンタクト層8が積層されており、p型GaN系コンタクト層8上にp電極9が、メサエッチングされてn型GaNコンタクト層4が露出した面にn電極10が形成されている。量子井戸構造を有する活性層のp側に最も近い井戸層とp型GaN系コンタクト層8との間に形成される中間半導体層にはアンドープInGaN層7が含まれており、中間半導体層の合計膜厚を20nm以下にすることで、活性層6へのキャリア注入効率を高めることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)