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1. (WO2007138646) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/138646    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310468
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 25.05.2006
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
SAITO, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMURA, Shinichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONAI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAITO, Shinichi; (JP).
MATSUI, Yuichi; (JP).
KIMURA, Shinichiro; (JP).
ONAI, Takahiro; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates 6th Floor, Kokusai Chusei Kaikan 14, Gobancho, Chiyoda-ku Tokyo 1020076 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS L'UTILISANT
(JA) 不揮発性メモリ素子およびその製造方法ならびに不揮発性メモリ素子を用いた半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory element is formed by a variable-resistance section and MISFET for memory selection connected in series to the variable-resistance section. The variable-resistance section includes: a thin film (tantalum pentoxide film (20)) formed by a strongly correlated electron-based material in which the outermost orbital is formed by a d electron or f electron; a first electrode (electrode (21)) in ohmic contact with one surface of the thin film; and a second electrode (plug (19)) in non-ohmic contact with the other surface of the thin film. Information is stored according to the intensity of the electric resistance value at the boundary between the thin film formed by the strongly correlated electron-based material and the second electrode. As the strongly correlated electron-based material and the electrode material, a material already used in the existing silicon process or a material which can be easily introduced can be used.
(FR)La présente invention concerne un élément de mémoire non volatile, formé par une section à résistance variable et un MISFET pour la sélection de mémoire, relié en série à la section à résistance variable. La section à résistance variable comprend : un film mince (film de pentoxyde de tantale 20) formé par un matériau à base d'électrons fortement corrélé dans lequel l'orbite extérieure est formée par un électron d ou un électron f, une première électrode (21) en contact ohmique avec une surface du film mince, ainsi qu'une seconde électrode (douille 19) en contact non ohmique avec l'autre surface du film mince. Les informations sont stockées en fonction de l'intensité de la valeur de la résistance électrique sur la frontière entre le film mince formé par le matériau à base d'électrons fortement corrélé et la seconde électrode. Comme le matériau à base d'électrons fortement corrélé et le matériau d'électrode, un matériau déjà utilisé dans le procédé de silicium ou un matériau pouvant être aisément introduit peut être utilisé.
(JA) 不揮発性メモリ素子は、可変抵抗部と、可変抵抗部に直列に接続されたメモリセル選択用MISFETとによって構成されている。可変抵抗部は、最外殻電子軌道がd電子またはf電子によって構成された強相関電子系材料からなる薄膜(五酸化タンタル膜20)と、薄膜の一方の面にオーミック接触された第1電極(電極21)と、薄膜の他方の面に非オーミック接触された第2電極(プラグ19)とからなり、強相関電子系材料からなる薄膜と前記第2電極との界面における電気抵抗値の大小によって情報が記憶される。強相関電子系材料や電極材料には、既存のシリコンプロセスですでに使われている材料、または容易に導入可能な材料が用いられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)