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1. (WO2007138527) ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR DISPOSITIF LUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/138527    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/051934
Date de publication : 06.12.2007 Date de dépôt international : 22.05.2007
CIB :
H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (MC only).
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road, San José, California 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : ZHOU, Ling; (US)
Mandataire : ROLFES, Johannes, G., A.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
11/420,337 25.05.2006 US
Titre (EN) REFLECTIVE ELECTRODE FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS
(FR) ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR DISPOSITIF LUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A process is disclosed for forming a reflective electrode on a semiconductor light emitting device, the light emitting device having an active layer (16) for generating light and a cladding layer (18) in electrical contact with the active layer. The process involves depositing an intermediate layer (24) of electrically conductive material on the cladding layer and causing at least a portion of the electrically conductive material to diffuse into the cladding layer. The process further involves depositing a reflective layer (26) on the intermediate layer, the reflective layer being electrically conductive and in electrical contact with the intermediate layer.
(FR)Procédé d'établissement d'électrode réfléchissante sur dispositif luminescent à semi-conducteurs, lequel comporte une couche active produisant de la lumière et une couche de revêtement en contact électrique avec la couche active. Le procédé consiste à déposer une couche intermédiaire de matériau conducteur sur la couche de revêtement et à faire en sorte qu'au moins une partie du matériau conducteur diffuse dans la couche de revêtement, puis à déposer une couche réfléchissante sur la couche intermédiaire, la couche réfléchissante étant conductrice et en contact électrique avec la couche intermédiaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)