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Paramétrages

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1. WO2007138078 - ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À BASE DE DÉCALAGE À STRUCTURE MIS

Numéro de publication WO/2007/138078
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055256
Date du dépôt international 30.05.2007
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
G02F 1/13473
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1347Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
13471in which all the liquid crystal cells or layers remain transparent, e.g. FLC, ECB, DAP, HAN, TN, STN, SBE-LC cells
13473for wavelength filtering or for colour display without the use of colour mosaic filters
G02F 2203/34
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
2203Function characteristic
34Colour display without the use of colour mosaic filters
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 33/0037
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
0037having a MIS barrier layer
H01L 33/0054
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0054for devices with an active region comprising only group IV elements
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
Déposants
  • IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE/DE]; Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt, DE (AllExceptUS)
  • KITTLER, Martin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ARGUIROV, Tzanimir [BG/DE]; DE (UsOnly)
  • SEIFERT, Winfried [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • REICHE, Manfred [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • YU, Xuegong [CN/DE]; DE (UsOnly)
  • VYVENKO, Oleg F. [RU/RU]; RU (UsOnly)
Inventeurs
  • KITTLER, Martin; DE
  • ARGUIROV, Tzanimir; DE
  • SEIFERT, Winfried; DE
  • REICHE, Manfred; DE
  • YU, Xuegong; DE
  • VYVENKO, Oleg F.; RU
Mandataires
  • EISENFÜHR, SPEISER + PARTNER; Anna-Louisa-Karsch-Strasse 2 10178 Berlin, DE
Données relatives à la priorité
10 2006 026 457.631.05.2006DE
10 2006 047 071.026.09.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER MIT MIS-STRUKTUR
(EN) DISLOCATION-BASED LIGHT EMITTER WITH AN MIS STRUCTURE
(FR) ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À BASE DE DÉCALAGE À STRUCTURE MIS
Abrégé
(DE)
Licht emittierendes Halbleiterbauelement (600) mit einem Substrat (S, 200), das eine erste Grenzfläche zwischen einer ersten (100) und einer zweiten (102) Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gitterstrukturen relativ zueinander um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche (108) liegende Achse um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk (D) vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenzspektrum des Halbleiterbauelements (600) ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
(EN)
Light-emitting semiconductor component (600) having a substrate (S, 200) which has a first interface between a first silicon layer (100) and a second silicon layer (102), whose grating structures which are thought to be ideal are rotated through an angle of rotation relative to one another about a first axis (118) which is perpendicular to the surface of the substrate and are tilted through a tilt angle about a second axis which is parallel to the surface of the substrate (108) in such a manner that there is a dislocation network (D) in the region of the interface, wherein the angle of rotation and the tilt angle are selected in such a manner that an electroluminescence spectrum of the semiconductor component (600) has an absolute maximum of the emitted light intensity at a wavelength of either 1.3 micrometres or 1.55 micrometres.
(FR)
La présente invention concerne un composant semi-conducteur (600) émetteur de lumière avec un substrat (S, 200) qui comporte une première surface limitrophe entre une première (100) et une seconde (102) couches de silicium dont les structures de grille sont dans l'idéal tordues l'une par rapport à l'autre d'un angle de rotation autour d'un premier axe (118) perpendiculaire à la surface du substrat et inclinées d'un angle d'inclinaison par rapport à un second axe (108) parallèle à la surface du substrat de telle sorte qu'un réseau de décalage (D) se trouve dans la zone de la surface limitrophe, l'angle de rotation et l'angle d'inclinaison étant choisis de telle sorte qu'un spectre d'électroluminescente du composant semi-conducteur (600) présente un maximum absolu de l'intensité de lumière émise soit à une longueur d'onde lumineuse de 1,3 micromètres, soit à une longueur d'onde lumineuse de 1,55 micromètres.
Également publié en tant que
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