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Paramétrages

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1. WO2007138063 - PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE LA RUGOSITÉ DE SURFACE D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/138063
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055211
Date du dépôt international 29.05.2007
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
C30B 25/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
20the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
C30B 29/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
04Diamond
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 29/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
08Germanium
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
Déposants
  • INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM (IMEC) [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE (AllExceptUS)
  • UMICORE [BE/BE]; Broekstraat 31 B-1000 Brussel, BE (AllExceptUS)
  • LEYS, Frederik [BE/BE]; BE (UsOnly)
  • BONZOM, Renaud [FR/BE]; BE (UsOnly)
  • CAYMAX, Matty [BE/BE]; BE (UsOnly)
  • LOO, Roger [NL/BE]; BE (UsOnly)
Inventeurs
  • LEYS, Frederik; BE
  • BONZOM, Renaud; BE
  • CAYMAX, Matty; BE
  • LOO, Roger; BE
Mandataires
  • PRONOVEM-OFFICE VAN MALDEREN; Avenue Josse Goffin, 158 B-1082 Brussel, BE
Données relatives à la priorité
60/808,66426.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR REDUCING THE SURFACE ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE LA RUGOSITÉ DE SURFACE D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method for improving the surface roughness of a semiconductor substrate. A method is provided for reducing the roughness of a semiconductor substrate surface comprising the steps of: providing a semiconductor substrate, the surface of which comprises a group IV mono-crystalline semiconductor material, and depositing, on said group IV mono-crystalline semiconductor material, a layer of (substantially) the same group IV mono-crystalline semiconductor material, by a deposition technique using nitrogen and/or at least one noble gas as carrier gas.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant d'améliorer la rugosité de surface d'un substrat semiconducteur. Ce procédé consiste: à prendre un substrat semiconducteur dont la surface comprend un matériau semiconducteur monocristallin de groupe IV, et à déposer sur ce matériau semiconducteur une couche de matériau semiconducteur monocristallin sensiblement du même groupe IV par une technique de dépôt utilisant de l'azote et/ou au moins un gaz noble comme gaz porteur.
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