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1. (WO2007109498) AMPLIFICATEUR LARGE BANDE À BRUIT ULTRA FAIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/109498    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/064052
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 15.03.2007
CIB :
H03F 3/02 (2006.01), H03F 3/04 (2006.01), H03F 3/68 (2006.01)
Déposants : NEWPORT MEDIA, INC. [US/US]; 25371 Commercentre Drive, Suite 125, Lake Forest, CA 92630 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : ISMAIL, Aly; (US).
YOUSSOUFIAN, Edward; (US)
Mandataire : RAHMAN, Mohammad, S.; Gibb I.P. Law Firm, LLC, 2568-A Riva Road, Suite 304, Annapolis, MD 21401 (US)
Données relatives à la priorité :
11/377,824 16.03.2006 US
Titre (EN) WIDEBAND ULTRA LOW NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR LARGE BANDE À BRUIT ULTRA FAIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A circuit and method of reducing noise in the circuit comprises a first transistor and an amplifier operatively connected to the first transistor, wherein the amplifier comprises a plurality of transistors and is adapted to amplify an input signal, and wherein the input signal is differentially captured at an output of the first transistor and the amplifier. Preferably, the plurality of transistors comprises a second transistor and a third transistor. Furthermore, a noise level of the first transistor and the third transistor are preferably cancelled. The size of the second transistor may be approximately 1/50Ω. Preferably, a gain on an amplifier stage formed by the second transistor and the third transistor is adapted to be increased. Moreover, an equivalent transconductance of the amplifier is preferably independent of an impedance matching on the amplifier. Preferably, a noise figure level of the circuit is less than approximately IdB.
(FR)La présente invention concerne un circuit et un procédé pour réduire le bruit dans le circuit, le circuit comprenant un premier transistor et un amplificateur connecté de façon fonctionnelle au premier transistor, l'amplificateur comprenant une pluralité de transistors et étant conçu pour amplifier un signal d'entrée, et le signal d'entrée faisant l'objet d'une capture différentielle à une sortie du premier transistor et de l'amplificateur. La pluralité de transistors comprend de préférence un deuxième et un troisième transistor. En outre, le niveau de bruit du premier transistor et celui du troisième transistor sont de préférence annulés. La taille du deuxième transistor peut être approximativement de 1/50Ω. De préférence, le gain au niveau d'un étage de l'amplificateur formé par le deuxième transistor et le troisième transistor, est conçu pour pouvoir être augmenté. De plus, la transconductance équivalente de l'amplificateur est de préférence indépendante de l'impédance correspondant à l'amplificateur. La valeur du niveau de bruit du circuit est de préférence inférieure à environ 1dB.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)