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1. (WO2007109463) PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE CONTACTS EN TRANCHÉE POUR TRANSISTORS MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/109463 N° de la demande internationale : PCT/US2007/063940
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 14.03.2007
CIB :
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/768 (2006.01)
Déposants : SIVAKUMAR, Swaminathan[IN/US]; US (UsOnly)
WALLACE, Charles[US/US]; US (UsOnly)
DAVIS, Alison[US/US]; US (UsOnly)
RAHHAL-ORABI, Nadia[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : SIVAKUMAR, Swaminathan; US
WALLACE, Charles; US
DAVIS, Alison; US
RAHHAL-ORABI, Nadia; US
Mandataire : VINCENT, Lester, J. ; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor Los Angeles, California 90025, US
Données relatives à la priorité :
11/384,14317.03.2006US
Titre (EN) METHOD OF FORMING TRENCH CONTACTS FOR MOS TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE CONTACTS EN TRANCHÉE POUR TRANSISTORS MOS
Abrégé :
(EN) A method to form transistor contacts begins with providing a transistor that includes a gate stack and first and second diffusion regions formed on a substrate, and a dielectric layer formed atop the gate stack and the diffusion regions. A first photolithography process forms first and second diffusion trench openings for the first and second diffusion regions. A sacrificial layer is then deposited into the first and second diffusion trench openings. Next, a second photolithography process forms a gate stack trench opening for the gate stack and a local interconnect trench opening coupling the gate stack trench opening to the first diffusion trench opening. The second photolithography process is carried out independent of the first photolithography process. The sacrificial layer is then removed and a metallization process is carried out to fill the first and second diffusion trench openings, the gate stack trench opening, and the local interconnect trench opening with a metal layer.
(FR) Selon le procédé de réalisation de contacts pour transistors selon l'invention, on commence par fabriquer un transistor qui comprend un empilement de gâchette et des première et seconde zones de diffusion disposées sur un substrat, et une couche diélectrique disposée sur l'empilement de gâchette et les zones de diffusion. Un premier processus de photolithographie permet de réaliser des première et seconde ouvertures de tranchées de diffusion pour les première et seconde zones de diffusion. Une couche sacrificielle est ensuite déposée dans les première et seconde ouvertures de tranchée de diffusion. Ensuite, un second processus de photolithographie permet de réaliser une ouverture de tranchée de l'empilement de gâchette pour l'empilement de gâchette et une ouverture de tranchée d'interconnexion locale couplant l'ouverture de tranchée de l'empilement de gâchette avec la première ouverture de tranchée de diffusion. Le second processus photolithographique est réalisé indépendamment du premier processus photolithographique. La couche sacrificielle est ensuite retirée et un processus de métallisation est réalisé pour remplir les première et seconde ouvertures de tranchée de diffusion, l'ouverture de tranchée de l'empilement de gâchette et l'ouverture de tranchée d'interconnexion locale avec une couche métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)