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1. (WO2007109368) SUBSTRAT À CONDUCTION AMÉLIORÉE DU COURANT ÉLECTRIQUE POUR MODULE THERMOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/109368    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/007325
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 22.03.2007
CIB :
H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : LEONARDO TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Leonardo Technologies, Inc, 116 South River Road, Bedford, New Hampshire 03110 (US) (Tous Sauf US).
PIWCZYK, Bernhard [US/US]; (US) (US Seulement).
LINDSTROM, Joel [US/US]; (US)
Inventeurs : PIWCZYK, Bernhard; (US).
LINDSTROM, Joel; (US)
Mandataire : REMUS, Paul; Devine, Millimet & Branch, 111 Amherst Street, Manchester, New Hampshire 03101 (US)
Données relatives à la priorité :
60/784,824 22.03.2006 US
Titre (EN) IMPROVED ELECTRIC CURRENT CARRYING SUBSTRATE FOR A THERMOELECTRIC MODULE
(FR) SUBSTRAT À CONDUCTION AMÉLIORÉE DU COURANT ÉLECTRIQUE POUR MODULE THERMOÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A thermoelectric module with electric current carrying substrates that allow a higher current carrying capacity between the thermoelements due to the presence of conductors on the interior and exterior of the substrates
(FR)L'invention concerne un module thermoélectrique à substrats conducteurs autorisant une l'intensité maximale admissible accrue entre les éléments thermiques grâce à la présence de conducteurs sur l'intérieur et l'extérieur des substrats.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)