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1. (WO2007109231) DISPOSITIFS SPINTRONIQUES CONTENANT DES DOPANTS SPINTRONIQUES ET PROCEDES ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/109231    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/006814
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 19.03.2007
CIB :
H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : MEARS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1100 Winter Street, Suite 4700, Waltham, Massachusetts 02451 (US) (Tous Sauf US).
HUANG, Xiangyang [CN/US]; (US) (US Seulement).
HALILOV, Samed [RU/US]; (US) (US Seulement).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook [MR/US]; (US) (US Seulement).
DUKOVSKI, Ilija [MK/US]; (US) (US Seulement).
HYTHA, Marek [CZ/US]; (US) (US Seulement).
MEARS, Robert J. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Xiangyang; (US).
HALILOV, Samed; (US).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook; (US).
DUKOVSKI, Ilija; (US).
HYTHA, Marek; (US).
MEARS, Robert J.; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher F.; Allen, Dyer, Doppelt, Milbrath & Gilchrist, P.A., 255 S Orange Avenue Suite 1401, Orlando, FL 32801 (US)
Données relatives à la priorité :
60/783,598 17.03.2006 US
11/687,430 16.03.2007 US
11/687,422 16.03.2007 US
Titre (EN) SPINTRONIC DEVICES WITH CONSTRAINED SPINTRONIC DOPANT AND ASSOCIATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS SPINTRONIQUES CONTENANT DES DOPANTS SPINTRONIQUES ET PROCEDES ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)A spintronic device may include at least one superlattice and at least one electrical contact coupled thereto, with the at least one superlattice including a plurality of groups of layers. Each group of layers may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion having a crystal lattice, at least one non-semiconductor monolayer constrained within the crystal lattice of adjacent base semiconductor portions, and a spintronic dopant. The spintronic dopant may be constrained within the crystal lattice of the base semiconductor portion by the at least one non-semiconductor monolayer. In some embodiments, the repeating structure of a superlattice may not be needed.
(FR)L'invention concerne un dispositif spintronique qui peut comprendre au moins un super-réseau et au moins un contact électrique relié audit super-réseau tel que ledit super-réseau comprenne une pluralité de groupes de couches. Chaque groupe de couches peut comprendre une pluralité de monocouches de semi-conducteurs de base empilées formant une partie de semi-conducteur de base présentant un réseau cristallin, et, au moins une monocouche de matériau non semi-conducteur insérée dans le réseau cristallin des parties de semi-conducteurs de base adjacentes, et un dopant spintronique. Le dopant spintronique peut être incorporé dans le réseau cristallin de la partie de semi-conducteur de base en l'intégrant dans ladite monocouche de matériau non semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, la structure répétée du super-réseau peut ne pas être nécessaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)