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1. (WO2007109103) PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT D'OPTIMISER L'ALIGNEMENT DANS UN ENSEMBLE D'OUTILS D'EXPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/109103    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/006569
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 15.03.2007
CIB :
H01J 37/153 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive, Milpitas, California 95035 (US) (Tous Sauf US).
ADEL, Michael, E. [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
ROBINSON, John [US/US]; (US) (US Seulement).
IZIKSON, Pavel [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
EICHELBERGER, Brad [US/US]; (US) (US Seulement).
WIDMANN, Amir [IL/US]; (US) (US Seulement).
KATO, Atsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ADEL, Michael, E.; (IL).
ROBINSON, John; (US).
IZIKSON, Pavel; (IL).
EICHELBERGER, Brad; (US).
WIDMANN, Amir; (US).
KATO, Atsuhiko; (JP)
Mandataire : KALINSKI, Francis, T., II; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, California 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
60/783,696 16.03.2006 US
60/891,209 22.02.2007 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR OPTIMIZING ALIGNMENT PERFORMANCE IN A FLEET OF EXPOSURE TOOLS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT D'OPTIMISER L'ALIGNEMENT DANS UN ENSEMBLE D'OUTILS D'EXPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)A method for optimizing alignment performance in a fleet of exposure systems involves characterizing each exposure system in a fle of exposure systems to generate a set of distinctive distortion profiles (301) associated with each exposure system The set of distinct distortion profiles are stored in a database (303) A wafer having reference pattern formed thereon is provided for further pattern fabπcation (305) and an exposure system is selected from the fleet to fabricate a next layer on the wafer (307) Linear and higher ord parameters of the selected exposure system are adjusted using the distinctive distortion profiles to model the distortion of the referen pattern (309) Once the exposure system is adjusted, it is used to form a lithographic pattern on the wafer (311).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'optimiser l'alignement dans un ensemble de systèmes d'exposition, consistant à caractériser chaque système d'exposition dans un ensemble de systèmes d'exposition afin de produire un ensemble de profils de distorsion distinctifs associés à chaque système d'exposition. Cet ensemble de profils de distorsion distinctifs est stocké dans une base de données. Une plaquette sur laquelle est formé un motif de référence est utilisée pour approfondir la fabrication du motif et un système d'exposition est sélectionné à partir de l'ensemble pour fabriquer une couche supplémentaire sur la plaquette. Des paramètres linéaires et d'ordre supérieur du système d'exposition sélectionné sont ajustés sur la base des profils de distorsion distinctifs afin de modéliser la distorsion du motif de référence. Une fois que le système d'exposition est ajusté, il est utilisé pour former un motif lithographique sur la plaquette.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)