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1. (WO2007108964) DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE A L'ARSENIURE DE GALLIUM ET PROCEDE POUR LE FIXER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108964    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/006079
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 09.03.2007
CIB :
H01L 21/283 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/492 (2006.01)
Déposants : SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 5221 California Avenue, Irvine, CA 92617 (US) (Tous Sauf US).
SHEN, Hong [CN/US]; (US) (US Seulement).
RAMANATHAN, Ravi [IN/US]; (US) (US Seulement).
LUO, Qiuliang [CN/US]; (US) (US Seulement).
WARREN, Robert, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
ABDALI, Usama, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHEN, Hong; (US).
RAMANATHAN, Ravi; (US).
LUO, Qiuliang; (US).
WARREN, Robert, W.; (US).
ABDALI, Usama, K.; (US)
Mandataire : TEMPEL, Michael, J.; Smith Frohwein Tempel Greenlee Blaha LLC, 2 Ravinia Drive, Suite 700, Atlanta, GA 30346 (US)
Données relatives à la priorité :
11/377,690 16.03.2006 US
Titre (EN) GAAS INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF ATTACHING SAME
(FR) DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE A L'ARSENIURE DE GALLIUM ET PROCEDE POUR LE FIXER
Abrégé : front page image
(EN)A gallium arsenide device (11) has a GaAs substrate (14) and a copper contact layer (21) for making electrical ground contact with a pad (16) of a target device. The copper contact layer is isolated from the GaAs substrate via a diffusion barrier layer (23), such as a nickel vanadium (NiV) layer. An organic solder preservative may coat the exposed copper to reduce oxidation effects. A gold or copper seed layer may be deposited prior to depositing the copper contact layer. The copper contact layer (21) can be directly soldered (18) to the contact pad (16), implying that the contact pad does not require an adhesive overflow area and can be made relatively small.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré à l'arséniure de gallium (GaAs). Le dispositif à circuit GaAs comprend un substrat en GaAs avec une couche de contact en cuivre destinée à assurer un contact électrique de terre avec un plot de connexion d'un dispositif cible. Il est avéré que le cuivre a un effet négatif sur les dispositifs en GaAs; ladite couche de contact est cependant isolée du substrat en GaAs à l'aide d'une couche barrière. La couche barrière peut par exemple être une couche de nickel-vanadium (NiV). Une telle barrière nickel-vanadium (NiV) protège le substrat en arséniure de gallium des effets diffusifs de la couche de contact en cuivre. Un protecteur de brasure organique peut enrober le cuivre nu afin de réduire les effets de l'oxydation. Dans certains cas, une couche d'ensemencement d'or ou de cuivre peut être déposée sur le substrat en GaAs avant de déposer la couche de contact en cuivre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)