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1. (WO2007108401) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108401    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055289
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 15.03.2007
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (Tous Sauf US).
MAEDA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MAEDA, Kiyohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OZAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHINO, Akihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOSHI, Yasunobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
URANO, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEDA, Takahiro; (JP).
MAEDA, Kiyohiko; (JP).
OZAKI, Takashi; (JP).
YOSHINO, Akihito; (JP).
KOSHI, Yasunobu; (JP).
URANO, Yuji; (JP)
Mandataire : YUI, Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 4-6-1, Iidabashi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-076572 20.03.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)High productivity is achieved, while maintaining excellent film forming characteristics on a substrate, even when a plurality of different types of process gases are used. A semiconductor device manufacturing method is provided with a process of carrying a plurality of substrates into a processing chamber; a step of supplying a first process gas into upstream of a gas flow in areas other than the area where the substrates carried into the processing chamber are arranged; a step of supplying a second process gas into upstream of the gas flow in the areas other than the area where the substrates carried into the processing chamber are arranged; a step of supplying the first process gas to a middle part of the gas flow in the area where the substrates carried into the processing chamber are arranged; a process of forming a thin film on the main surface of the substrates by having the first process gas react with the second process gas in the processing chamber and forming an amorphous body; and a process of carrying out the substrates with the thin films formed thereon from the processing chamber.
(FR)La présente invention permet d'obtenir une forte productivité, tout en maintenant d'excellentes caractéristiques de formation de film sur un substrat, même lorsque l'on utilise une pluralité de types différents de gaz de traitement. Un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs dispose d'un procédé pour transporter une pluralité de substrats dans une chambre de traitement, une étape de fourniture d'un premier gaz de traitement dans le flux montant d'un flux de gaz dans des zones différentes de la zone où sont agencés les substrats transportés dans la chambre de traitement, une étape de fourniture d'un second gaz de traitement dans le flux montant du flux de gaz dans des zones autres que celle où sont placés les substrats transportés dans la chambre de traitement, une étape de fourniture du premier gaz de traitement à une partie médiane du flux de gaz dans la zone où sont placés les substrats transportés dans la chambre de traitement, un procédé de formation d'un film mince sur la surface principale des substrats en amenant le premier gaz de traitement à réagir avec le second dans la chambre de traitement et à former un corps amorphe et un procédé de réalisation des substrats avec les films minces formés dessus à partir de la chambre de traitement.
(JA) 異なるガス種の処理ガスを複数用いても基板上に良質な成膜特性を維持したまま 高い生産性を実現する。  複数枚の基板を処理室内に搬入する工程と、第1の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第2の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第1の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域内のガス流の途中箇所への供給と、処理室内で第1の処理ガスと第2の処理ガスとを反応させて非結晶体を形成し複数枚の基板の主面に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成した後の基板を前記処理室より搬出する工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)