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1. (WO2007108157) procédé de fabrication de transistor à film mince, appareil de cristallisation laser et dispositif semi-conducteur
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108157    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/321748
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 31.10.2006
CIB :
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
MAEKAWA, Masashi [JP/--]; (US Seulement)
Inventeurs : MAEKAWA, Masashi;
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-075247 17.03.2006 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING THIN-FILM TRANSISTOR, LASER CRYSTALLIZATION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) procédé de fabrication de transistor à film mince, appareil de cristallisation laser et dispositif semi-conducteur
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法、レーザー結晶化装置及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a thin-film transistor (TFT), in which in laser crystallization of an amorphous semiconductor film, even when multiple-line scanning is conducted, there is no disorder of crystal grains at line breaks and crystal of any particular line continuous from the crystal of preceding line is formed, thereby ensuring an uniformity of TFT performance at relevant area, and in which even when the TFT is disposed along either the length or the width of substrate, the performance thereof can be equalized; and a related laser crystallization apparatus and semiconductor device. There is provided a process for producing a thin-film transistor having a crystalline semiconductor film superimposed on a substrate, comprising the step of repeating long-beam irradiation and transfer so as to carry out fusing and crystallization of any amorphous semiconductor film on the substrate, thereby forming a crystalline semiconductor film, wherein the long beam is shifted in a direction oblique to the direction of long axis thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de transistor à film mince (TFT), selon lequel lors de la cristallisation laser d'un film semi-conducteur amorphe, même en cas de balayage à lignes multiples, on n'observe aucun désordre des grains de cristal au niveau des ruptures de ligne et il se forme un cristal de n'importe quelle ligne particulière continue à partir du cristal de la ligne précédente, garantissant ainsi une uniformité des performances TFT à un point voulu, et selon lequel, même si le TFT est disposé dans le sense de la longueur ou de la largeur du substrat, les performances de celui-ci peuvent être égalisées ; et un appareil de cristallisation laser et un dispositif semi-conducteur associés. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à film mince possédant un film semi-conducteur cristallin superposé sur un substrat, comprenant l'étape consistant à répéter l'irradiation et le transfert à long faisceau de manière à réaliser la fusion et la cristallisation de tout film semi-conducteur amorphe sur le substrat, constituant de cette manière un film semi-conducteur cristallin, caractérisé en ce que le long faisceau est décalé dans une direction oblique par rapport à la direction du long axe de celui-ci.
(JA)本発明は、非晶質半導体膜のレーザー結晶化において、複数行の走査を行っても、改行部において結晶粒の乱れなく前行の結晶と連続的に次行の結晶が形成され、この部分でのTFT特性の均一性を確保するとともに、TFTを、基板に対して縦横どちらの方向に配置したとしても、その特性を同等とすることができる薄膜トランジスタの製造方法、レーザー結晶化装置及び半導体装置を提供する。本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板上に結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、長尺ビームの照射及び移動を繰り返し行い、基板上の非晶質半導体膜を溶融して結晶化させ、結晶性半導体膜を形成する工程を含み、上記長尺ビームは、その長軸方向に対して斜め方向に移動されるものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)