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1. (WO2007108117) DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108117    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/305743
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 22.03.2006
CIB :
H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUDA, Manabu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EKAWA, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKADA, Kan [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKUMURA, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Tsuyoshi; (JP).
MATSUDA, Manabu; (JP).
EKAWA, Mitsuru; (JP).
TAKADA, Kan; (JP).
OKUMURA, Shigekazu; (JP)
Mandataire : SANADA, Tamotsu; Kichijoji-Hirose Bldg. 5th Floor 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)An optical semiconductor device comprising active layer (5); first semiconductor layer (6) of Al-containing semiconductor material superimposed above the active layer (5); second semiconductor layer (7) superimposed above the first semiconductor layer (6) and constituted of a semiconductor material containing neither Al nor P and exhibiting a band gap larger than that of the active layer (5); and third semiconductor layer (8) superimposed above the second semiconductor layer (7) and constituted of a semiconductor material not containing Al but containing P, wherein the second semiconductor layer (7) is provided so as to avoid any contact of the first semiconductor layer (6) with the third semiconductor layer (8).
(FR)Dispositif optique à semi-conducteur comprenant une couche active (5), une première couche en semi-conducteur (6) faite d'un matériau semi-conducteur contenant de l'Al sur la couche active (5), une deuxième couche en semi-conducteur (7) sur la première couche en semi-conducteur (6) faite d'un matériau semi-conducteur ne contenant ni Al ni P et ayant une bande interdite plus large que celle de la couche active (5), et une troisième couche en semi-conducteur (8) sur la deuxième couche en semi-conducteur (7) faite d'un matériau semi-conducteur ne contenant pas d'Al mais contenant du P, la deuxième couche en semi-conducteur (7) étant agencée de façon à éviter tout contact entre la première couche en semi-conducteur (6) et la troisième couche en semi-conducteur (8).
(JA) 光半導体素子を、活性層(5)と、活性層(5)の上方に形成され、Alを含有する半導体材料からなる第1半導体層(6)と、第1半導体層(6)の上方に形成され、Al及びPを含有せず、活性層(5)よりもバンドギャップの大きい半導体材料からなる第2半導体層(7)と、第2半導体層(7)の上方に形成され、Alを含有せず、Pを含有する半導体材料からなる第3半導体層(8)とを備えるものとし、第2半導体層(7)が、第1半導体層(6)と第3半導体層(8)とが接しないように形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)