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1. (WO2007108055) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPOSE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108055    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/305265
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 16.03.2006
CIB :
H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
KIKKAWA, Toshihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKKAWA, Toshihide; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPOSE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 化合物半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)On SiC substrate (1), there are sequentially superimposed AlN layer (2), GaN buffer layer (3), non-doped AlGaN layer (4a), n-type AlGaN layer (4b), n-type GaN layer (5), non-doped AlN layer (6) and SiN layer (7). The non-doped AlN layer (6) and SiN layer (7) are provided with at least three apertures, and source electrode (8a), drain electrode (8b) and gate electrode (19) are implanted in these apertures.
(FR)La présente invention concerne, sur un substrat de SiC (1) et superposées de manière séquentielle, une couche d'AlN (2), une couche tampon de GaN (3), une couche d'AlGaN non dopée (4a), une couche d'AlGaN de type n (4b), une couche de GaN de type n (5), une couche d'AlN non dopée (6) et une couche de SiN (7). La couche d'AlN non dopée (6) et la couche de SiN (7) sont prévues avec au moins trois ouvertures et l'électrode source (8a), l'électrode drain (8b) et l'électrode de grille (19) sont implantées dans ces ouvertures.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)