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1. (WO2007107757) PROCÉDÉ DE TIRAGE AU MOYEN DE COUCHES CONFORMES ET DE HVPE POUR LA PRODUCTION DE MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS DE HAUTE QUALITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/107757    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/001011
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 19.03.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), C30B 29/48 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Déposants : NANOGAN LIMITED [GB/GB]; 5-6 Northumberland Buildings, Queen Square, Bath BA1 2JE (GB) (Tous Sauf US).
WANG, Wang, Nang [--/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Wang, Nang; (GB)
Mandataire : NEWSTEAD, Michael, John; Page Hargrave, Southgate, Whitefriars, Lewins Mead, Bristol BS1 2NT (GB)
Données relatives à la priorité :
0605838.2 23.03.2006 GB
Titre (EN) GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYERS AND HVPE FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE TIRAGE AU MOYEN DE COUCHES CONFORMES ET DE HVPE POUR LA PRODUCTION DE MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS DE HAUTE QUALITÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers. Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapour deposition (CVD), metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) and hydride vapour phase epitaxy (HVPE). Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE.
(FR)L'invention concerne un procédé utilisant HVPE pour le tirage de semi-conducteurs composés plats et épais, de haute qualité (16) sur des substrats étrangers (10) au moyen de couches conformes en nanostructure. Des nanostructures (12) de matériaux semi-conducteurs peuvent être tirées sur des substrats étrangers (10) par épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE), dépôt chimique en phase vapeur (CVD), déposition chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD) et épitaxie en phase vapeur hydrure (HVPE). Un tirage complémentaire de films épais semi-conducteurs composés continus (15) ou de plaquettes est obtenu par surcroissance épitaxiale latérale au moyen de HVPE.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)