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1. (WO2007107461) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/107461    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/052227
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 09.03.2007
CIB :
H01L 21/225 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ILLING, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KRONMUELLER, Silvia [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FARBER, Paul [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMBRUSTER, Simon [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAMMEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REICHENBACH, Ralf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELLING, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENZEL, Hubert; (DE).
ILLING, Matthias; (DE).
LAERMER, Franz; (DE).
KRONMUELLER, Silvia; (DE).
FARBER, Paul; (DE).
ARMBRUSTER, Simon; (DE).
LAMMEL, Gerhard; (DE).
REICHENBACH, Ralf; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE).
FEYH, Ando; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 012 857.5 21.03.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE CORRESPONDANTE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.
(EN)The invention provides a method for fabricating a semiconductor structure with the following steps: a crystalline semiconductor substrate (1) is provided; a porous region (10) adjoining a surface (OF) of the semiconductor substrate (1) is provided; a dopant (12) is introduced into the porous region (10) from the surface (OF); and the porous region (10) is thermally recrystallized into a crystalline doping region (10') of the semiconductor substrate (1) whose doping type and/or doping concentration and/or doping distribution differ(s) from that/those of the semiconductor substrate (1). The invention likewise provides a corresponding semiconductor structure.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice dont les étapes consistent à : préparer un substrat semi-conducteur (1) cristallin ; ajouter une zone poreuse (10) adjacente à une surface (OF) du substrat semi-conducteur (1) ; introduire une substance dopante (12) dans la zone poreuse (10) de la surface (OF) ; et recristalliser thermiquement la zone poreuse (10) en une zone de dopage (10') cristalline du substrat semi-conducteur (1), dont le type de dopage et/ou la concentration de dopage est différent(e) de celui (celle) du substrat semi-conducteur (1). L'invention concerne également une structure semi-conductrice correspondante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)